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BAT54C

产品描述直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1V @ 100mA
产品类别分立半导体    肖特基二极管   
文件大小851KB,共2页
制造商深圳辰达行电子(MDD)
官网地址http://www.microdiode.com/
深圳辰达半导体有限公司(简称MDD辰达半导体)是一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业.公司深耕半导体领域16载,始终坚持以产品技术为驱动,以客户需求为核心,打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵,产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域,服务于全球40多个国家与地区。公司秉持与时俱进的发展理念,基于目前先进的功率器件设计及封装测试能力,持续关注前沿技术及应用领域发展趋势,全面推动产品升级迭代,提高功率器件产业化及服务闭环的能力,为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。展望未来,公司将依托行业洞察的能力,通过品牌与技术双轮驱动,快速实现“打造半导体分立器件国际创领品牌”的发展愿景,助力中国半导体产业升级。
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BAT54C概述

直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1V @ 100mA

BAT54C规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)30V
平均整流电流(Io)200mA
正向压降(Vf)1V @ 100mA

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BAT54/A/C/S
SCHOTTKY
DIODES
SOT-23
FEATURES
Extremely Fast Switching Speed
BAT54 MARKING:
KL1
BAT54A MARKING:
KL2
BAT54C MARKING:
KL3
BAT54S MARKING:
KL4
Maximum Ratings @T
A
=25℃
Parameter
Peak Repetitive Peak reverse voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking
Voltage
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
I
FM
P
D
T
STG
200
200
-55-150
mA
mW
30
V
Limits
Unit
Forward Continuous Current
Power Dissipation
Storage temperature
Electrical Characteristics @T
A
=25℃
Parameter
Reverse Breakdown Voltage
Symbol
V
(BR)R
V
F1
V
F2
Forward voltage
V
F3
V
F4
V
F5
Reverse current
Diode Capacitance
Reverse Recovery Time
I
R
C
D
t
rr
Min.
30
0.24
0.32
0.40
0.50
1
2
10
5
Typ.
Max.
Unit
V
V
V
V
V
V
μA
pF
Conditions
IR=100μA
I
F
=0.1mA
I
F
=1mA
I
F
=10mA
I
F
=30mA
I
F
=100mA
V
R
=25V
V
R
=1V,f=1MHz
I
F
=I
R
=10mA
Irr=0.1XI
R
,R
L
=100Ω
nS
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