Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 肖特基二极管> SD103AWS

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SD103AWS: 产品描述直流反向耐压（Vr）：40V 平均整流电流（Io）：350mA 正向压降（Vf）：600mV @ 200mA 40V,0.35A,VF=0.6V@0.2A; 产品类别分立半导体肖特基二极管; 文件大小306KB，共3页; 制造商深圳辰达行电子(MDD); 官网地址http://www.microdiode.com/; 深圳辰达半导体有限公司（简称MDD辰达半导体）是一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业.公司深耕半导体领域16载，始终坚持以产品技术为驱动，以客户需求为核心，打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵，产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域，服务于全球40多个国家与地区。公司秉持与时俱进的发展理念，基于目前先进的功率器件设计及封装测试能力，持续关注前沿技术及应用领域发展趋势，全面推动产品升级迭代，提高功率器件产业化及服务闭环的能力，为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。展望未来，公司将依托行业洞察的能力，通过品牌与技术双轮驱动，快速实现“打造半导体分立器件国际创领品牌”的发展愿景，助力中国半导体产业升级。

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SD103AWS概述

直流反向耐压（Vr）：40V 平均整流电流（Io）：350mA 正向压降（Vf）：600mV @ 200mA 40V,0.35A,VF=0.6V@0.2A

SD103AWS规格参数

参数名称	属性值
直流反向耐压（Vr）	40V
平均整流电流（Io）	350mA
正向压降（Vf）	600mV @ 200mA

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SD103AWS/SD103BWS/SD103CWS

Schottky Barrier Diode

FEATURES

Low Forward Voltage Drop

Guard Ring Construction For Transient

Protection

Negligible Reverse Recovery Time

Low Reverse Capacitance

Lead-free

APPLICATIONS

Schotty barrier switching

SOD-323

ORDERING INFORMATION

Type No.

SD103AWS

SD103BWS

SD103CWS

Marking

Package Code

SOD-323

MAXIMUM RATING

@ Ta=25℃ unless otherwise specified

Parameter

Peak Repetitive Peak reverse voltage

Working Peak

DC Reverse Voltage

RMS Reverse Voltage

Forward Continuous Current

Repetitive Peak Forward Current

@t≤1.0s

Power Dissipation

Thermal Resistance Junction to

Ambient

Storage temperature

Symbol

RRM

RWM

R(RMS)

FSM

stg

350

1.5

200

625

-65 to+125

℃/W

℃

SD103AWS

SD103BWS

SD103CWS

Unit

２０１４－０３　０１版

½½½½：／／½½½．½½½½½½½½½½．½½½

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