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US1MG

产品描述直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.65V @ 1A 反向恢复时间(trr):75ns
产品类别分立半导体    快恢复二极管   
文件大小624KB,共3页
制造商深圳辰达行电子(MDD)
官网地址http://www.microdiode.com/
深圳辰达半导体有限公司(简称MDD辰达半导体)是一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业.公司深耕半导体领域16载,始终坚持以产品技术为驱动,以客户需求为核心,打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵,产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域,服务于全球40多个国家与地区。公司秉持与时俱进的发展理念,基于目前先进的功率器件设计及封装测试能力,持续关注前沿技术及应用领域发展趋势,全面推动产品升级迭代,提高功率器件产业化及服务闭环的能力,为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。展望未来,公司将依托行业洞察的能力,通过品牌与技术双轮驱动,快速实现“打造半导体分立器件国际创领品牌”的发展愿景,助力中国半导体产业升级。
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US1MG概述

直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.65V @ 1A 反向恢复时间(trr):75ns

US1MG规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)1kV
平均整流电流(Io)1A
正向压降(Vf)1.65V @ 1A
反向恢复时间(trr)75ns

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US1AG
THRU
US1MG
Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts
Forward Current - 1.0 Ampere
SURFACE MOUNT
ULTRA
FAST RECTIFIER
Features
The plastic package carries Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
For surface mounted applications
Ultra fast switching for high efficiency
Low reverse leakage
Built-in strain relief,ideal for automated placement
0.067 (1.70)
0.051 (1.30)
DO-214AC/SMA
0.110(2.80)
0.094(2.40)
High forward surge current capability
High temperature soldering guaranteed
250 °C/10 seconds at terminals
0.096(2.42)
0.078(1.98)
0.177(4.50)
0.157(3.99)
0.012(0.305)
0.006(0.152)
Mechanical Data
Case
: JEDEC DO-214AC/SMA Molded plastic body
Terminals
: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
Polarity
: Polarity symbol marking on body
Mounting Position
: Any
Weight
: 0.002 ounce, 0.055 grams
0.060(1.52)
0.030(0.76)
0.008(0.203)MAX.
0.208(5.30)
0.188(4.80)
Dimensions in inches and (millimeters)
Maximum Ratings And Electrical Characteristics
Ratings at 25°C ambient temperature unlss otherwise specified.
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.
Parameter
SYMBOLS
US1AG US1BG US1DG US1GG US1JG US1KG US1MG
MDD
US1A
MDD
US1B
MDD
US1D
MDD
US1G
MDD
US1J
MDD
US1K
MDD
US1M
Marking Code
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
at TL=55
Peak forward surge current
8.3ms single half sine-wave
superimposed onrated load (JEDEC Method)
Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A
Maximum DC reverse current
at rated DCblocking voltage
Maximum reverse recovery time
T
A
=25℃
T
A
=125℃
(NOTE 1)
V
RMM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
UNITS
V
V
V
A
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
I
FSM
V
F
I
R
trr
30
1.0
1.30
5.0
50.0
50
15.0
75.0
-55 to +150
1.65
A
V
μA
75
ns
pF
℃/W
Typical junction capacitance (NOTE 2)
Typical thermal resistance (NOTE 3)
Operating junction and storage temperature range
C
J
R
JA
T
J
,
T
STG
Note:1.Reverse
recovery condition IF=0.5A,IR=1.0A,Irr=0.25A
2.P.C.B. mounted with 2.0x2.0”(5.0x5.0cm) copper pad areas.
3.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
4.The
typical data above is for reference only.
DN:T19704A0
https://www.microdiode.com
Rev:2019A0
Page :1
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