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KND4820B

产品描述漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:300mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W(Tc) 类型:N沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小463KB,共8页
制造商可易亚半导体(KIA Semiconductors)
官网地址http://www.kiaic.com/page/qiyejianjie.htm
深圳市可易亚半导体科技有限公司是一家专业从事中、大功率场效应管、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计,集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。
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KND4820B概述

漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:300mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W(Tc) 类型:N沟道

KND4820B规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)9A(Tc)
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻300mΩ @ 4.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)83W(Tc)
类型N沟道

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KIA
SEMICONDUCTORS
9.0A,200V
N-CHANNEL MOSFET
KNX4820B
`
1.
Description
The KNX4820B-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage,
high speed power switching applications such as high efficiency switched mode power supplies, active
power factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology
2.
Features
n
n
n
n
Proprietary New Planar Technology
RDS(ON),typ.=250m
Ω@V
GS
=10V
Low Gate Charge Minimize Switching Loss
Fast Recovery Body Diode
3.
Pin configuration
Pin
1
2
3
4
Function
Gate
Drain
Source
Drain
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