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PSMA24C

产品描述400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小93KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PSMA24C概述

400 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC

PSMA24C规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码DO-214AC
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最大击穿电压26.4 V
最小击穿电压21.6 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AC
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散400 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压19.4 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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P4SMA SERIES
SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
VOLTAGE
FEATURES
• For surface mounted applications in order to optimize board space.
• Built-in strain relief
• Low inductance
• Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability
Classification 94V-O
• High temperature soldering : 260°C /10 seconds at terminals
.096(2.44)
.078(2.00)
.062(1.60)
.047(1.20)
.114(2.90)
.098(2.50)
5.5 to 214 Volts
PEAK PULSE POWER
400 Watts
SMA/DO-214AC
Unit: inch (mm)
• Low profile package
• Glass passivated junction
.181(4.60)
.157(4.00)
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
.012(.305)
.006(.152)
MECHANICAL DATA
• Case: JEDEC DO-214AC,Molded plastic over passivated junction.
• Terminals: Solder plated,solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: Color band denotes positive end (cathode)
• Standard Packaging:12mm tape (EIA-481)
• Weight: 0.002 ounce, 0.064 gram
.060(1.52)
.030(0.76)
.008(.203)
.002(.051)
.208(5.28)
.188(4.80)
DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS
For Bidirectional use C or CA Suffix for types P4SMA6.8 thru types P4SMA250.
Electrical characteristics apply in both directions.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
R ating
Peak Pulse Power D i ssi pati on on T
A
= 25
O
C (Notes 1,2,5, Fi g.1)
Peak Forward Surge C urrent per Fi g.5 (Note 3)
Peak Pulse C urrent on 10/1000s waveform(Note 1)Fi g.2
Steady State Power D i ssi pati on (NOTE 4)
Operati ng Juncti on and Storage Temperature Range
Symbol
P
PPM
I
FSM
I
PPM
P
M(AV)
T
J
,T
STG
Value
400
40
see Table 1
1.0
-55 to +150
Uni ts
Watts
Amps
Amps
Watts
O
C
NOTES:
1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above T
A
= 25
O
C per Fig. 2.
2. Mounted on 5.0mm
2
copper pads to each terminal.
3. 8.3ms single half sine-wave, or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minutes maximum.
4. Lead temperature at 75
O
C = T
L
.
5. Peak pulse power waveform is 10/1000uS.
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