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US1M

产品描述反向恢复时间(trr):75ns 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.7V @ 1A
产品类别分立半导体    超快恢复二极管   
文件大小378KB,共3页
制造商合科泰(Hottech)
官网地址http://www.heketai.com
合科泰成立于1992年,专业从事半导体模拟芯片和分立器件的研发设计、封测生产和销售于一体的高科技创新企业。产品线包括锂电保护IC、充电管理IC、LDO、MOSFET,二极管、TVS、桥堆,三极管等分立器件和集成电路,为客户提供应用解决方案和现场技术支持服务。公司具备ISO9001、ISO14001、IATF16949质量体系认证。产品包含半导体和被动原件,广泛应用于电源、照明、医疗电子、小家电、通信、安防、仪器、工控、汽车电子等领域。
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US1M概述

反向恢复时间(trr):75ns 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.7V @ 1A

US1M规格参数

参数名称属性值
反向恢复时间(trr)75ns
直流反向耐压(Vr)1kV
平均整流电流(Io)1A
正向压降(Vf)1.7V @ 1A

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US1A-US1M
SURFACE MOUNT ULTRA FAST RECTIFIER
FEATURES
Glass Passivated Die Construction
Super-Fast Recovery Time For High Efficiency
Low Forward Voltage Drop and High Current Capability
Ideally Suited for Automated Assembly
Plastic Material: UL Flammability Classification Rating 94V-0
DO-214AC (SMA)
MECHANICAL DATA
Case: DO-214AC Molded plastic
Terminals: Pure tin plated, lead free
Polarity: Indicated by cathode band
Weight: 70mg (approx.)
Cathode
10
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive
load. For capacitive load, derate current by 20%.
Parameter
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified
Current at T
A
=75 °C
Peak Forward Surge Current 8.3ms
Single Half Sine-wave Superimposed
on Rated Load (JEDEC)
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1 A
Maximum DC Reverse Current at
Rated DC Blocking Voltage
T
A
= 25 °C
T
A
=100 °C
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θJL
T
J, TS
50
15.0
50.0
-65 to + 150
1.0
US1A
50
35
50
US1B
100
70
100
US1D
200
140
200
US1G
400
280
400
1.0
30.0
1.3
5.0
50.0
75
1.7
US1J
600
420
600
US1K
800
560
800
US1M
1000
700
1000
Unit
V
V
V
A
A
V
µA
nS
pF
°C/W
°C
Maximum reverse recovery time
(NOTE1)
Typical Junction Capacitance
(NOTE2)
Maximum Thermal Resistance
(NOTE3)
Operating and Storage Temperature Range
Note: 1.Reverse recovery condition I
F
=0.5A,I
R
=1.0A,Irr=0.25A
2.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
3.P.C.B. mounted with 0.2x0.2”(5.0x5.0mm) copper pad areas
©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD
E-mail:hkt@heketai.com
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