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2SD1664

产品描述额定功率:500mW 集电极电流Ic:1A 集射极击穿电压Vce:32V 晶体管类型:NPN
产品类别分立半导体    三极管   
文件大小224KB,共2页
制造商合科泰(Hottech)
官网地址http://www.heketai.com
合科泰成立于1992年,专业从事半导体模拟芯片和分立器件的研发设计、封测生产和销售于一体的高科技创新企业。产品线包括锂电保护IC、充电管理IC、LDO、MOSFET,二极管、TVS、桥堆,三极管等分立器件和集成电路,为客户提供应用解决方案和现场技术支持服务。公司具备ISO9001、ISO14001、IATF16949质量体系认证。产品包含半导体和被动原件,广泛应用于电源、照明、医疗电子、小家电、通信、安防、仪器、工控、汽车电子等领域。
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2SD1664概述

额定功率:500mW 集电极电流Ic:1A 集射极击穿电压Vce:32V 晶体管类型:NPN

2SD1664规格参数

参数名称属性值
额定功率500mW
集电极电流Ic1A
集射极击穿电压Vce32V
晶体管类型NPN

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Plastic-Encapsulate Transistors
FEATURES
Low VCE(sat), VCE(sat)=0.15V(typical).(IC/IB=500mA/50mA)
Complements to 2SB1132
2SD1664
(NPN)
Maximum Ratings (
Ta=25
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current -Continuous
Collector Power dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
unless otherwise noted)
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
Tstg
Value
40
32
5
1
Unit
V
V
V
A
W
1. BASE
2. COLLECTO
3. EMITTER
0.5
150
-55to +150
SOT-89
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
( @ Ta=25
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE(sat)
f
T
C
ob
unless otherwise specified)
Test
I
C
=50μA, I
E
=0
I
C
=1mA, I
B
=0
I
E
=50μA, I
C
=0
V
CB
=20V, I
E
=0
V
EB
=4V, I
C
=0
V
CE
=3V, I
C
=100mA
I
C
=0.5A, I
B
=50mA
V
CE
=5V, I
C
=50mA, f=100MHz
V
CB
=10V, I
E
=0, f=1MHz
150
15
82
conditions
Min
40
32
5
0.5
0.5
390
0.4
V
MHz
pF
Typ
Max
Unit
V
V
V
μA
μA
CLASSIFICATION OF h
FE
Rank
Range
Marking
P
82-180
DAP
Q
120-270
DAQ
R
180-390
DAR
GUANGDONG HOTTECH
INDUSTRIAL CO., LTD
Page:P2-P1
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