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2SA1213

产品描述额定功率:500mW 集电极电流Ic:2A 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:PNP PNP,Vceo=-50V,Ic=-2A
产品类别分立半导体    三极管   
文件大小181KB,共2页
制造商合科泰(Hottech)
官网地址http://www.heketai.com
合科泰成立于1992年,专业从事半导体模拟芯片和分立器件的研发设计、封测生产和销售于一体的高科技创新企业。产品线包括锂电保护IC、充电管理IC、LDO、MOSFET,二极管、TVS、桥堆,三极管等分立器件和集成电路,为客户提供应用解决方案和现场技术支持服务。公司具备ISO9001、ISO14001、IATF16949质量体系认证。产品包含半导体和被动原件,广泛应用于电源、照明、医疗电子、小家电、通信、安防、仪器、工控、汽车电子等领域。
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2SA1213概述

额定功率:500mW 集电极电流Ic:2A 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:PNP PNP,Vceo=-50V,Ic=-2A

2SA1213规格参数

参数名称属性值
额定功率500mW
集电极电流Ic2A
集射极击穿电压Vce50V
晶体管类型PNP

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Plastic-Encapsulate Transistors
FEATURES
Low saturation voltage
High speed switching time
Small flat package
P
C
=1.0 to 2.0W(mounted on ceramic substrate)
Complementary to 2SC2873
2SA1213
(PNP)
Maximum Ratings (
Ta=25
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current -Continuous
Collector Power dissipation
Storage Temperature
unless otherwise noted)
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tstg
Value
-50
-50
-5
-2000
500
-55to +150
Unit
V
V
V
mA
mW
1. BASE
2. COLLECTO
3. EMITTER
SOT-89
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
( @ Ta=25
Parameter
Collector-emitter
Collector
Emitter
cut-off
cut-off
breakdown
current
current
voltage
Symbol
V
CEO
I
CBO
I
EBO
unless otherwise specified)
Test
conditions
Min
-50
-0.1
-0.1
70
20
-0.5
-0.5
100
40
-1.2
V
V
MHz
pF
240
Typ
Max
Unit
V
μA
μA
I
C
=-10mA,I
B
=0
V
CB
=-50V,I
E
=0
V
EB
=-5V,I
C
=0
V
CE
=-2V,I
C
=-0.5A
DC
current
gain
h
FE
V
CE
=-2V,I
C
=-2.0A
Collector-emitter
Base-emitter
Transition
Collector
saturation
saturation
voltage
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
C
ob
I
C
=-1A,I
B
=-0.05A
I
C
=-1A,I
B
=-0.05A
V
CE
=-2V,
I
C
=-0.5A
voltage
frequency
output
capacitance
V
CB
=-10V,I
E
=0,f=1MHz
CLASSIFICATION OF h
FE
Rank
Range
Marking
O
70-140
NO
Y
120-240
NY
GUANGDONG HOTTECH
INDUSTRIAL CO., LTD
Page:P2-P1
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