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RB520S-30-B

产品描述直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):600mV @ 200mA 30V,0.2A,VF=0.6V@0.2A
产品类别分立半导体    肖特基二极管   
文件大小158KB,共2页
制造商合科泰(Hottech)
官网地址http://www.heketai.com
合科泰成立于1992年,专业从事半导体模拟芯片和分立器件的研发设计、封测生产和销售于一体的高科技创新企业。产品线包括锂电保护IC、充电管理IC、LDO、MOSFET,二极管、TVS、桥堆,三极管等分立器件和集成电路,为客户提供应用解决方案和现场技术支持服务。公司具备ISO9001、ISO14001、IATF16949质量体系认证。产品包含半导体和被动原件,广泛应用于电源、照明、医疗电子、小家电、通信、安防、仪器、工控、汽车电子等领域。
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RB520S-30-B概述

直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):600mV @ 200mA 30V,0.2A,VF=0.6V@0.2A

RB520S-30-B规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)30V
平均整流电流(Io)200mA
正向压降(Vf)600mV @ 200mA

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Plastic-Encapsulate Diodes
Schottky barrier diode
FEATURES
Small surface mounting type
Low reverse current and low forward voltage
High reliability
RB520S-30
+
-
SOD-523
MARKING: B
Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @TA=25
Parameter
DC reverse voltage
Mean rectifying current
Peak forward surge current
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
R
I
O
I
FSM
T
j
T
stg
Limits
30
200
1
125
-40-125
Unit
V
mA
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Symbol
V
F
I
R
unless otherwise specified)
Min.
Typ.
Max.
0.6
1
Unit
V
μA
Conditions
I
F
=200mA
V
R
=10V
GUANGDONG HOTTECH
INDUSTRIAL CO., LTD
Page:P2-P1
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