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BAT54W

产品描述直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):100mA 正向压降(Vf):1V @ 100mA
产品类别分立半导体    肖特基二极管   
文件大小2MB,共4页
制造商合科泰(Hottech)
官网地址http://www.heketai.com
合科泰成立于1992年,专业从事半导体模拟芯片和分立器件的研发设计、封测生产和销售于一体的高科技创新企业。产品线包括锂电保护IC、充电管理IC、LDO、MOSFET,二极管、TVS、桥堆,三极管等分立器件和集成电路,为客户提供应用解决方案和现场技术支持服务。公司具备ISO9001、ISO14001、IATF16949质量体系认证。产品包含半导体和被动原件,广泛应用于电源、照明、医疗电子、小家电、通信、安防、仪器、工控、汽车电子等领域。
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BAT54W概述

直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):100mA 正向压降(Vf):1V @ 100mA

BAT54W规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)30V
平均整流电流(Io)100mA
正向压降(Vf)1V @ 100mA

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HDX54D12
SCHOTTKY BARRIER DIODE
GENERAL :BAT54W
FEATURES
Low Forward Voltage
Fast Switching
Small Surface Mount device
PN Junction Guard Ring for Transient and ESD Protection
SOD-123
MECHANICAL DATA
Case: SOD-123
Case Material: Molded Plastic. UL flammability
Classification Rating: 94V-0
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020
Weight: 0.005 grams (approximate)
MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25°C unless otherwise noted)
Parameter
Peak Reverse Voltage
RMS Reverse Voltage
Forward Current
Average rectified output current
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 8.3 ms
Power Dissipation
Thermal Resistance From Junction To Ambient
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
R
V
R(RMS)
I
F
I
O
I
FSM
P
D
R
θJA
T
J
T
STG
Value
30
21
200
100
600
500
200
125
-55 ~+150
Unit
V
V
mA
mA
mA
mW
°C/W
°C
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Min
Max
0.24
0.32
0.40
0.50
1.00
2
10
5
Unit
I
F
=0.10mA
I
F
=1mA
I
F
=10mA
I
F
=30mA
I
F
=100mA
I
R
=100uA
V
R
=25V
V
R
=1V,f=1MHz
I
F
=10mA,I
R
=10mA to1mA ,R
L
=100Ω
1
/
4
Conditions
Forward voltage
V
F
V
Reverse voltage
Reverse voltage leakage current
Diode capacitance
Reverse recovery time
V
R
I
R
C
D
T
RR
30
V
uA
pF
nS
©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD
E-mail:hkt@heketai.com
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