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2SC3357 RE HD

产品描述额定功率:1.2W 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:12V 晶体管类型:NPN NPN,Vceo=12V,Ic=100mA
产品类别分立半导体    三极管   
文件大小327KB,共4页
制造商合科泰(Hottech)
官网地址http://www.heketai.com
合科泰成立于1992年,专业从事半导体模拟芯片和分立器件的研发设计、封测生产和销售于一体的高科技创新企业。产品线包括锂电保护IC、充电管理IC、LDO、MOSFET,二极管、TVS、桥堆,三极管等分立器件和集成电路,为客户提供应用解决方案和现场技术支持服务。公司具备ISO9001、ISO14001、IATF16949质量体系认证。产品包含半导体和被动原件,广泛应用于电源、照明、医疗电子、小家电、通信、安防、仪器、工控、汽车电子等领域。
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2SC3357 RE HD概述

额定功率:1.2W 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:12V 晶体管类型:NPN NPN,Vceo=12V,Ic=100mA

2SC3357 RE HD规格参数

参数名称属性值
额定功率1.2W
集电极电流Ic100mA
集射极击穿电压Vce12V
晶体管类型NPN

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Plastic-Encapsulate Transistors
2SC3357
DESCRIPTION
·Low
Noise and High Gain
NF = 1.1 dB TYP., G
a
= 8.0 dB TYP.
@V
CE
= 10 V, I
C
= 7 mA, f = 1.0 GHz
NF = 1.8 dB TYP., G
a
= 9.0 dB TYP.
@V
CE
= 10 V, I
C
= 40 mA, f = 1.0 GHz
(NPN)
APPLICATIONS
·Designed
for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV
band.
1. BASE
2. COLLECTO
3 EMITTER
SOT-89
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
a
=25
℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
V
CBO
Collector-Base Voltage
20
V
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
12
V
V
EBO
Emitter-Base Voltage
3.0
V
I
C
Collector Current-Continuous
Collector Power Dissipation
@T
C
=25℃
Junction Temperature
0.1
A
P
C
1.2
W
T
J
150
T
stg
Storage Temperature Range
-65~150
GUANGDONG HOTTECH
INDUSTRIAL CO., LTD
Page:P4 -P1
【低功耗】低功耗FPGA汽车电子应用
76037 76038 ...
常见泽1 FPGA/CPLD
EEWORLD大学堂----同济大学FPGA课程视频
同济大学FPGA课程视频:https://training.eeworld.com.cn/course/3856...
量子阱 FPGA/CPLD
出一些ic芯片,需要的联系。
610271610270610269610268610267610266610265610264610263610262610261610260610259610258610256610255610254610314610313610312610311610310610309610308610307610305610304610303610302610301 ......
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