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BAV70

产品描述反向恢复时间(trr):6ns 直流反向耐压(Vr):70V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1.25V @ 150mA 芯片0.23
产品类别分立半导体    开关二极管   
文件大小189KB,共2页
制造商合科泰(Hottech)
官网地址http://www.heketai.com
合科泰成立于1992年,专业从事半导体模拟芯片和分立器件的研发设计、封测生产和销售于一体的高科技创新企业。产品线包括锂电保护IC、充电管理IC、LDO、MOSFET,二极管、TVS、桥堆,三极管等分立器件和集成电路,为客户提供应用解决方案和现场技术支持服务。公司具备ISO9001、ISO14001、IATF16949质量体系认证。产品包含半导体和被动原件,广泛应用于电源、照明、医疗电子、小家电、通信、安防、仪器、工控、汽车电子等领域。
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BAV70概述

反向恢复时间(trr):6ns 直流反向耐压(Vr):70V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1.25V @ 150mA 芯片0.23

BAV70规格参数

参数名称属性值
反向恢复时间(trr)6ns
直流反向耐压(Vr)70V
平均整流电流(Io)200mA
正向压降(Vf)1.25V @ 150mA

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Plastic- Encapsulate Diodes
SWITCHING DIODE
FEATURES
Fast Switching Speed
For General Purpose Switching Applications
High Conductance
BAW56/BAV70/BAV99
MARKING:
SOT-23
BAW56:A1
BAV70:A4
BAV99:A7
MAXIMUM RATINGS (TA=25
Parameter
Reverse voltage
Forward Current
Peak Forward Surge Current
Power Dissipation
unless otherwise noted)
Symbol
V
R
I
F
IFM(surge)
P
D
R
θJ
A
T
J
TST
G
Limit
s
70
0
200
0
500
0
0
225
0
2
556
5
5
150
6
5
-55-150
0
50
Unit
V
mA
mA
mW
/W
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
Junction temperature
Storage temperature range
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25
Parameter
Reverse Breakdown Voltage
Symbol
VR
VF1
Forward voltage
VF2
VF3
VF4
Reverse current
Capacitance between terminals
Reverse recovery time
IR
CT
t rr
unless otherwise specified)
Min.
70
0.715
0.855
1
1.25
2.5
1.5
6
Typ.
Max.
Unit
V
V
V
V
V
μA
pF
ns
Conditions
IR=100μA
IF=1mA
IF=10mA
IF=50mA
IF=150mA
VR=70V
VR=0,f=1MHz
IF = IR = 10mA,
Irr= 0.1 x IR, RL = 100Ω
GUANGDONG HOTTECH
INDUSTRIAL CO., LTD
Page:P2-P1
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