Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 三极管> BC807-40

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BC807-40: 产品描述额定功率：300mW 集电极电流Ic：500mA 集射极击穿电压Vce：45V 晶体管类型：PNP; 产品类别分立半导体三极管; 文件大小190KB，共2页; 制造商合科泰(Hottech); 官网地址http://www.heketai.com; 合科泰成立于1992年，专业从事半导体模拟芯片和分立器件的研发设计、封测生产和销售于一体的高科技创新企业。产品线包括锂电保护IC、充电管理IC、LDO、MOSFET，二极管、TVS、桥堆，三极管等分立器件和集成电路，为客户提供应用解决方案和现场技术支持服务。公司具备ISO9001、ISO14001、IATF16949质量体系认证。产品包含半导体和被动原件，广泛应用于电源、照明、医疗电子、小家电、通信、安防、仪器、工控、汽车电子等领域。

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额定功率：300mW 集电极电流Ic：500mA 集射极击穿电压Vce：45V 晶体管类型：PNP

BC807-40规格参数

参数名称	属性值
额定功率	300mW
集电极电流Ic	500mA
集射极击穿电压Vce	45V
晶体管类型	PNP

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Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES

Ldeally suited for automatic insertion

epitaxial planar die construction

complementary NPN type available(BC817)

Marking

BC807-16 BC807-25 BC807-40

BC807-16

(PNP)

BC807-25

(PNP)

BC807-40

(PNP)

MAXIMUM RATINGS (TA=25

unless otherwise noted)

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Thermal Resistance Junction to Ambient

Symbol

CBO

CEO

EBO

Tstg

Value

-50

-45

-5

-500

300

150

-55 to +150

417

Unit

1. BASE

2. EMITTER

3. COLLECTO

SOT-23

θJA

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25

unless otherwise specified)

Parameter

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

807-16

807-25

807-40

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

ICBO

ICEO

IEBO

Test conditions

IC= -10μA, IE=0

IC= -10mA, IB=0

IE= -1μA, IC=0

VCB= -45V, IE=0

VCE= -40V, IB=0

VEB= -4 V,

IC=0

Min

-50

-45

-5

Max

Unit

-0.1

-0.2

-0.1

100

250

400

600

-0.7

-1.2

100

hFE

VCE= -1V, IC= -100mA

160

250

VCE(sat)

VBE(sat)

IC=-500mA, IB= -50mA

IC= -500mA, IB= -50mA

VCE= -5V, IC= -10mA

f=100MHz

MHz

collector capacitance

IE = 0; VCB = -10 V

f = 1 MHz

GUANGDONG HOTTECH

INDUSTRIAL CO., LTD

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