Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 三极管> BC857C

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BC857C: 产品描述额定功率：200mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：45V 晶体管类型：PNP; 产品类别分立半导体三极管; 文件大小488KB，共3页; 制造商合科泰(Hottech); 官网地址http://www.heketai.com; 合科泰成立于1992年，专业从事半导体模拟芯片和分立器件的研发设计、封测生产和销售于一体的高科技创新企业。产品线包括锂电保护IC、充电管理IC、LDO、MOSFET，二极管、TVS、桥堆，三极管等分立器件和集成电路，为客户提供应用解决方案和现场技术支持服务。公司具备ISO9001、ISO14001、IATF16949质量体系认证。产品包含半导体和被动原件，广泛应用于电源、照明、医疗电子、小家电、通信、安防、仪器、工控、汽车电子等领域。

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BC857C概述

额定功率：200mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：45V 晶体管类型：PNP

BC857C规格参数

参数名称	属性值
额定功率	200mW
集电极电流Ic	100mA
集射极击穿电压Vce	45V
晶体管类型	PNP

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Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES

Ideally suited for automatic insertion

For Switching and AF Amplifier Applications

BC856A/B

(PNP)

BC857A/B/C

(PNP)

BC858A/B/C

(PNP)

Marking

BC856A

BC856B

BC857A

BC857B

BC857C

BC858A

BC858B

BC858C

1. BASE

2. EMITTER

3. COLLECTO

SOT-23

MAXIMUM RATINGS (TA=25

unless otherwise noted)

Parameter

BC856

Collector-Base Voltage

BC857

BC858

BC856

Collector-Emitter Voltage

BC857

BC858

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Symbol

CBO

CEO

EBO

Value

-80

-50

-30

-65

-45

-30

-5

-0.1

0.2

150

-55 to +150

Unit

Tstg

GUANGDONG HOTTECH

INDUSTRIAL CO., LTD

Page:P3-P1

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