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MMBD4148CC

产品描述反向恢复时间(trr):4ns 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1V @ 10mA
产品类别分立半导体    开关二极管   
文件大小192KB,共2页
制造商合科泰(Hottech)
官网地址http://www.heketai.com
合科泰成立于1992年,专业从事半导体模拟芯片和分立器件的研发设计、封测生产和销售于一体的高科技创新企业。产品线包括锂电保护IC、充电管理IC、LDO、MOSFET,二极管、TVS、桥堆,三极管等分立器件和集成电路,为客户提供应用解决方案和现场技术支持服务。公司具备ISO9001、ISO14001、IATF16949质量体系认证。产品包含半导体和被动原件,广泛应用于电源、照明、医疗电子、小家电、通信、安防、仪器、工控、汽车电子等领域。
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MMBD4148CC概述

反向恢复时间(trr):4ns 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1V @ 10mA

MMBD4148CC规格参数

参数名称属性值
反向恢复时间(trr)4ns
直流反向耐压(Vr)100V
平均整流电流(Io)200mA
正向压降(Vf)1V @ 10mA

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Plastic-Encapsulate Diodes
SCHOTTKY DIODES
FEATURES
Fast Switching Speed
For General Purpose Switching Applications
High Conductance
MMBD4148A/CA/CC/SE
MARKING
SOT-23
MMBD4148A:5H
MMBD4148CA:D6
MMBD4148CC:D5
MMBD4148SE:D4
MAXIMUM RATINGS (TA=25
unless otherwise noted)
Paramet
er
Non-Repetitive Peak reverse voltage
Peak Repetitive Peak reverse voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking
Voltage
RMS Reverse Voltage
Forward Continuous Current
Average Rectified Output Current
Peak forward surge current
@=1.0μs
@=1.0
Power Dissipation
Thermal Resistance Junction to Ambient
Junction temperature
Storage temperature
s
Symbol
V
RM
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
FM
I
O
I
P
D
R
θJA
T
j
T
STG
Limits
100
100
53
300
200
2.0
1.0
350
357
150
-65~+150
Unit
V
V
V
mA
mA
A
mW
/W
Electrical Ratings @TA=25
Parameter
Reverse Breakdown Voltage
Symbol
V
(BR) R1
V
(BR) R2
Min.
100
75
Typ.
Max.
Unit
V
V
I
R
=100μA
I
R
=5μA
I
F
=10mA
V
R
=75V
V
R
=25V
Conditions
Forward voltage
Reverse current
V
F
I
R1
I
R2
1
5
25
4
V
μA
nA
pF
Capacitance between terminals
C
T
V
R
=0V,f=1MHz
I
F
=I
R
=10mA,
Reverse Recovery Time
t
rr
4
ns
V
R
=6V,Irr=0.1XI
R
,R
L
=100Ω
GUANGDONG HOTTECH
INDUSTRIAL CO,. LTD.
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