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B5819LW

产品描述直流反向耐压(Vr):40V 平均整流电流(Io):500mA 正向压降(Vf):600mV @ 1A
产品类别分立半导体    肖特基二极管   
文件大小289KB,共2页
制造商合科泰(Hottech)
官网地址http://www.heketai.com
合科泰成立于1992年,专业从事半导体模拟芯片和分立器件的研发设计、封测生产和销售于一体的高科技创新企业。产品线包括锂电保护IC、充电管理IC、LDO、MOSFET,二极管、TVS、桥堆,三极管等分立器件和集成电路,为客户提供应用解决方案和现场技术支持服务。公司具备ISO9001、ISO14001、IATF16949质量体系认证。产品包含半导体和被动原件,广泛应用于电源、照明、医疗电子、小家电、通信、安防、仪器、工控、汽车电子等领域。
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B5819LW概述

直流反向耐压(Vr):40V 平均整流电流(Io):500mA 正向压降(Vf):600mV @ 1A

B5819LW规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)40V
平均整流电流(Io)500mA
正向压降(Vf)600mV @ 1A

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Plastic-Encapsulate Diodes
SCHOTTKY BARRIER DIODE
B5819W
FEATURES
For use in low voltage, high frequency inverters
Free wheeling, and polarity protection applications.
SOD-123
MARKING:
S4
-
+
MAXIMUM RATINGS (TA=25
Parameter
Non-Repetitive Peak reverse voltage
Peak Repetitive Peak reverse voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
Repetitive Peak Forward Current
Power Dissipation
unless otherwise noted)
Symbol
Value
40
40
40
40
28
0.5
1.5
500
250
-65~+150
Units
V
V
V
V
V
A
A
mW
/W
V
RM
V
RRM
V
RWM
V
R
R(RMS)
I
O
I
FRM
Pd
R
θJA
T
STG
Thermal Resistance Junction to Ambient
Storage temperature
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25
Parameter
Reverse breakdown voltage
Reverse voltage leakage current
Forward voltage
unless otherwise specified)
Test conditions
I
R
= 1mA
V
R
= 40V
I
F
=1A
I
F
=3A
Symbol
V
(BR)
I
R
V
F
MIN
40
MAX
UNIT
V
1
0.6
0.9
120
mA
V
V
Diode capacitance
C
D
V
R
=4V, f=1MHz
pF
GUANGDONG HOTTECH
INDUSTRIAL CO., LTD
Page:P2-P1
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