Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 肖特基二极管> SD103AW

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SD103AW: 产品描述直流反向耐压（Vr）：40V 平均整流电流（Io）：350mA 正向压降（Vf）：600mV @ 200mA; 产品类别分立半导体肖特基二极管; 文件大小155KB，共2页; 制造商合科泰(Hottech); 官网地址http://www.heketai.com; 合科泰成立于1992年，专业从事半导体模拟芯片和分立器件的研发设计、封测生产和销售于一体的高科技创新企业。产品线包括锂电保护IC、充电管理IC、LDO、MOSFET，二极管、TVS、桥堆，三极管等分立器件和集成电路，为客户提供应用解决方案和现场技术支持服务。公司具备ISO9001、ISO14001、IATF16949质量体系认证。产品包含半导体和被动原件，广泛应用于电源、照明、医疗电子、小家电、通信、安防、仪器、工控、汽车电子等领域。

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SD103AW概述

直流反向耐压（Vr）：40V 平均整流电流（Io）：350mA 正向压降（Vf）：600mV @ 200mA

SD103AW规格参数

参数名称	属性值
直流反向耐压（Vr）	40V
平均整流电流（Io）	350mA
正向压降（Vf）	600mV @ 200mA

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Plastic-Encapsulate Diodes

SCHOTTKY BARRIER DIODE

SD103AW/BW/CW

FEATURES

Low Forward Voltage Drop.

Guard Ring Construction For Transient Protection.

Negligible Reverse Recovery Time.

Low Reverse Capacitance.

MARKING:

SD103AW :S4

SD103BW:S5

SD103CW:S6

SOD-123

MAXIMUM RATINGS (TA=25

unless otherwise noted)

Parameter

Non-Repetitive Peak reverse voltage

Peak Repetitive Peak reverse voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking

Forward Continuous Current

Repetitive Peak Forward Current @t≤1.0s

Power Dissipation

Thermal Resistance Junction to Ambient

Storage temperature

Symbol

VRM

VRRM

VRWM

IFRM

Tstg

SD103AW

SD103BW

SD103CW

Unit

350

1.5

400

300

-65-125

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25

unless otherwise specified)

Parameter

Reverse Breakdown Voltage

SD103AW

SD103BW

SD103CW

Forward voltage

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Conditions

=10μA

IF=20mA

IF=200mA

VR=30V

VR=20V

VR=10V

VR=0,f=1MHz

IR=IF=200mA

Irr=0.1*IR,RL=100Ω

(

)

(

)

(

)

0.37

0.60

μA

Reverse current

SD103AW

SD103BW

SD103CW

5.0

Capacitance between terminals

Reverse Recovery Time

GUANGDONG HOTTECH

INDUSTRIAL CO., LTD

Page:P2-P1

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