旌芯半导½科技(上海)有限公司
GN Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd.
GN1629B
3 线串口共阴极 14 段 8 ½
LED 驱动控制/8*2 ½键盘扫描专用电路
产品说明书
中½(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层
http://www.gnsemic.com
电话:021-34125778
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1、概 述
GN1629B是一块带键盘扫描接口的LED驱动控制专用电路,内½键盘扫描接口,MCU数字接口、
数据锁存器、LED高压驱动等电路。本产品主要应用于冰箱、空调 、家庭½院等产品的高段½的显
示屏驱动。
其主要特点如下:
●
●
●
●
●
●
●
采用功率CMOS工艺
显示模式:14段×8½
键扫描:8×2bit
辉度调节电路(占空比8级可调)
串行接口(CLK、DIO、
STB
)
振荡方式:RC振荡(450KHz±5%)
内½上电复½电路
●
封装½式:
SOP32
2、功½框图及引脚说明
2.1、引脚排列图
图
1、引脚排列图
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2.2、引脚说明
引脚
7
8
符
号
引脚名称
数据输入/
输出
时钟输入
½开始。
在时钟上升沿输入/输出串行数据
在上升或下降沿初始化串行接口,随后等
9
STB
片选
待接收指令。STB 为½后的第一个字节½
为指令,½处理指令时,½前其它处理被
终止。½STB 为高时, CLK 被½略。
10~11
3、6、30
12、27
13~20
21~26
1、2、
4、5、
28、29、
31、32
注:DIO口输出数据时为N管开漏输出(见图2),在读键的时候需要外接1K-10K的上拉电阻,推荐
10K的上拉电阻。DIO在时钟的下降沿控制N管的动½,此时读数时不稳定,在时钟的上升沿读数
才时稳定,时序参考图7
GRID8~GRID1
输出(½)
½输出, N管开漏输出。
K0½K1
GND
VDD
SEG1/KS1~SEG8/KS8
SEG9~SEG16
键扫数据输
入
逻辑地
逻辑电源
输出(段)
输出(段)
输入该脚的数据在显示周期结束后被锁
存。
接系统地
5V±10%
段输出(也用½键扫描),p管开漏输出。
段输出,P管开漏输出。
功
½
在时钟上升沿输入/输出串行数据, 从½
DIO
CLK
图 2、DIO 端口结构
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3、电特性
3.1、极限参数
(除非另有规定,GND =0V,T
amb
=25℃)
参 数 名 称
逻辑电源电压
逻辑输入电压
LED SEG
驱动输出电流
LED GRID
驱动输出电流
功率损耗
工½环境温度
贮存温度
焊接温度
符 号
VDD
V
TI
I
O1
I
O2
P
D
T
amb
T
stg
T
L
10
秒
条 件
额 定 值
-0.5~7.0
-0.5~VDD+0.5
-50
+200
400
-40~+80
-65~+150
250
单 ½
V
V
mA
mA
mW
℃
℃
℃
3.2、推荐½用条件
(工½条件:T
a
= -20~+70℃,GND=0V)
参 数 名 称
逻辑电源电压
高电平输入电压
½电平输入电压
符 号
VDD
V
IH
V
IL
最小
3
0.7VDD
0
典型
5
-
-
最大
5.5
VDD
0.3 VDD
单 ½
V
V
V
3.3、电气特性
3.3.1、直流参数
(除非另有规定,T
amb
=-20½+70℃,VDD=4.5~5.5V,GND=0V)
参 数 名 称
高电平输出电流
½电平输出电流
½电平输出电流
高电平输出电流容许量
输出下拉电阻
输入电流
高电平输入电压
½电平输入电压
滞后电压
动态电流损耗
符号
I
OH
1
I
OH
2
I
OL
1
Idout
Itolsg
RL
II
V
IH
V
IL
V
H
IDDdyn
测 试 条 件
SEG1½SEG14,Vo =VDD -2V
SEG1½SEG14,Vo = VDD-3V
GRID1½GRID8 Vo=0.3V
VO = 0.4V,dout
VO = VDD–3V,SEG1½SEG14
K0½K1
VI=VDD/GND
CLK,DIO, STB
CLK,DIO, STB
CLK,DIO, STB
无负½½,显示关
最小
-20
-20
80
4
-
-
-
0.7VDD
-
-
-
典型
-25
-30
140
-
-
10
-
-
-
0.35
-
最大
-40
-50
-
-
5
-
±1
-
0.3VDD
-
5
单½
mA
mA
mA
mA
%
KΩ
µA
V
V
V
mA
3.3.2、交流参数
参 数 名 称
振荡频率
(除非另有规定,T
amb
=-20~+70℃,VDD=4.5~5.5V)
符 号
Fosc
测 试 条 件
R = 16.5 KΩ
最小
-
典型
500
最大
单½
KHz
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传输延迟时间
上升时间
下降时间
最大时钟频率
输入电容
时钟脉冲½度
选通脉冲½度
Tplz
Tpzl
TTZH1
TTZH2
TTHZ
Fmax
CI
PWCLK
PWSTB
CLK→DIO,CL=15pf,RL=10KΩ
CL=300pf
SEG1½SEG14
GRID1½GRID8
-
-
-
-
-
1
-
-
-
-
-
300
100
2
0.5
120
15
-
-
-
-
-
-
ns
ns
µs
µs
µs
MHz
CL=300pf,SEGN,GRIDN
占空比
50%
-
-
-
-
-
-
-
-
pf
ns
µs
ns
ns
µs
µs
400
1
100
100
CLK↑→STB↑
数据建立时间
数据保持时间
CLK
→STB 时间
tSETUP
tHOLD
tCLK STB
1
1
等待时间
tWAIT
CLK↑→CLK↓
4、时序图与端口操½说明、指令系统介绍
4.1、显示寄存器地址和显示模式
该寄存器存储通过串行接口从外部器件传送到GN1629B的数据,地址从00H-0FH共16字节单元,
分别与芯片SEG和GRID管脚所接的LED灯对应,分配如图3:
写LED显示数据的时候,按照从显示地址从½½到高½,从数据字节的½½到高½操½。
SEG1
B0
SEG2
B1
SEG3
B2
00HL
02HL
04HL
06HL
08HL
0AHL
0CHL
0EHL
SEG4
B3
SEG5
SEG6
SEG7
SEG8
SEG1
0
SEG9
SEG1
4
SEG1
3
SEG1
2
SEG11
--
--
xxHL(½四½)
xxHU(高四½)
B4
B5
B6
B7
00HU
02HU
04HU
06HU
08HU
0AHU
0CHU
0EHU
xxHL(½四½)
B0
B1
B2
B3
01HL
03HL
05HL
07HL
09HL
0BHL
0DHL
0FHL
图3、
xxHU(高四½)
B4
B5
B6
B7
GRID 1
GRID 2
GRID 3
GRID 4
GRID 5
GRID 6
GRID 7
GRID8
01HU
03HU
05HU
07HU
09HU
0BHU
0DHU
0FHU
写LED显示数据的时候,按照从½½地址到高½地址,从字节的½½到高½操½;在运用中没有
½用到的SEG输出口,在对应的BIT地址½写0。
注意:在上电完之后,必须先对
RAM
进行数据写入,然后再开显示。
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