Datasheet> 器件分类 > 存储> FLASH存储器> GD25WD10CEIGR

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GD25WD10CEIGR: 产品描述技术：NOR Flash 时钟频率：100MHz 存储器构架(格式)：FLASH 存储器接口类型：SPI 存储器容量：1Mb 存储器类型：Non-Volatile 1Mbit; 产品类别存储 FLASH存储器; 文件大小593KB，共43页; 制造商兆易创新(GigaDevice); 官网地址http://www.gigadevice.com; GigaDevice 于 2005 年在硅谷创立，是一家领先的无晶圆半导体公司，致力于提供高级存储技术和 IC 解决方案。该公司已于 2016 年在上海证券交易所成功完成 IPO。GigaDevice 提供各种高性能闪存和 32 位通用 MCU 产品。它是 SPI NOR 闪存先锋公司之一，目前在该市场领域世界排名第三，每年出货量超过 10 亿。

自 2007 年以来，GigaDevice 已经提交了 600 多项专利申请，并获得 200 多项专利授权。员工 55% 以上都从事研发工作，这是持续将其产品与市场上竞争对手区分开来的基础保证。GigaDevice 管理团队吸收了加州硅谷、韩国和台湾知名存储公司领先的半导体行业经验。GigaDevice 通过了 DQS 的 ISO9001 和 ISO14001 认证。

GigaDevice 目前生产 SPI NOR 闪存、SPI NAND 闪存和 MCU，适用于嵌入式、消费和移动通信应用。其制造模型基于与代工、装配和测试分包商合作伙伴建立的牢固关系。GigaDevice 认为，相比传统的基于制造的集成设备制造商，这种分工明确的无晶圆制造模型更具竞争优势，因为维持先进存储器工艺技术的固定设备支出超出了许多 IC 存储器市场部门的市场回报。GigaDevice 的代工合作伙伴对先进设备的持续投资及其 12" 晶圆产能的快速增长是其成功战胜竞争对手的关键因素。

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GD25WD10CEIGR概述

技术：NOR Flash 时钟频率：100MHz 存储器构架(格式)：FLASH 存储器接口类型：SPI 存储器容量：1Mb 存储器类型：Non-Volatile 1Mbit

GD25WD10CEIGR规格参数

参数名称	属性值
技术	NOR Flash
时钟频率	100MHz
存储器构架(格式)	FLASH
存储器接口类型	SPI
存储器容量	1Mb
工作电压	1.65V ~ 3.6V
工作温度	-40℃~+85℃
写周期时间（页）	1.6ms
写周期时间（字节）	40us/5us
存储器类型	Non-Volatile

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Uniform Sector

Standard and Dual Serial Flash

GD25WD10C/05C

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