Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> MOS(场效应管)> TC4953

TC4953: 产品描述漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：90mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：P沟道 P沟道MOS管，-20V、-3A，62毫欧。; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小283KB，共3页; 制造商富满电子(FM); 官网地址http://www.superchip.cn/index.aspx; 深圳市富满电子集团股份有限公司创立于2001年，是一家从事高性能模拟及数模混合集成电路设计研发、封装、测试和销售的国家级高新技术企业。目前拥有电源管理、LED驱动、MOSFET等涉及消费领域IC产品四百余种。

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TC4953概述

漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：90mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：P沟道 P沟道MOS管，-20V、-3A，62毫欧。

TC4953规格参数

参数名称	属性值
漏源电压（Vdss）	20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	3A
栅源极阈值电压	1V @ 250uA
漏源导通电阻	90mΩ @ 3A,4.5V
类型	P沟道

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深圳市富满电子集团股½有限公司

SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD.

TC4953

(文件编号：

S&CIC0750)

VDS= -20V

RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-3A = 62mΩ@TYP

RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-2.5A = 88mΩ@TYP

20V P

沟道增强型

MOS

场效应管

Internal Schemaic Diagram

Source

G1 2

G2 4

Gate

SOP-8

Drain

P-Channel MOSFET

特点



先进的沟道工艺技术

高密度超½电阻设计

改良的成½工艺

最大额定值和热特性

(TA = 25℃，除非另有说明)

参数

漏源电压

栅源电压

漏极电流

漏极脉冲电流

符号

, T

stg

值

-20

单½

±12

-3

-1

工½结温和存储温度范围

注：重复性极限值：脉冲½度由最高结温限制。

-50 to 150

℃

Title

Size

Date:

File:

Number

Revision

20-Feb-2014

Sheet of

E:\E盘\规格书\规格图\规格图-0\ZBO\4953.ddb Drawn By:

www.superchip.cn

第

页共

页

Version 1.1

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