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SI2301

产品描述漏源电压(Vdss):10V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.2A 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:120mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道 10V P 沟道增强型 MOS 场效应管
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小203KB,共3页
制造商富满电子(FM)
官网地址http://www.superchip.cn/index.aspx
深圳市富满电子集团股份有限公司创立于2001年,是一家从事高性能模拟及数模混合集成电路设计研发、封装、测试和销售的国家级高新技术企业。目前拥有电源管理、LED驱动、MOSFET等涉及消费领域IC产品四百余种。
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SI2301概述

漏源电压(Vdss):10V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.2A 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:120mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道 10V P 沟道增强型 MOS 场效应管

SI2301规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)10V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)2.2A
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻120mΩ @ 1A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.25W
类型P沟道

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深圳市富满电子集团股½有限公司
SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUP CO., LTD.
2301
(文件编号:S&CIC1596)
10V P
沟道增强型
MOS
场效应管
VDS= -10V
RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-1.0A =100mΩ@TYP
RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-0.5A = 125mΩ@TYP
一、特点
高级的加工技术
极½的导通电阻高密度的单元设计
SOT- 23
内部结构示意图
二、最大额定值和热特性
(T
A
= 25℃,除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
漏极电流
漏极脉冲电流
最大功耗
工½结温和存储温度范围
结环热阻(PCB 安装)
T
A
=25℃
T
A
=75℃
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
stg
R
θJA
-10
±10
-2.2
-5
1.25
0.8
-55 to 150
140
单½
V
A
W
W/℃
www.superchip.cn
1
页 共
3
Version 1.0
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