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3415

产品描述漏源电压(Vdss):12V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:55mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:P沟道 Pmos, -12V -4A ,富满3401升级版
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小139KB,共1页
制造商富满电子(FM)
官网地址http://www.superchip.cn/index.aspx
深圳市富满电子集团股份有限公司创立于2001年,是一家从事高性能模拟及数模混合集成电路设计研发、封装、测试和销售的国家级高新技术企业。目前拥有电源管理、LED驱动、MOSFET等涉及消费领域IC产品四百余种。
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3415概述

漏源电压(Vdss):12V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:55mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:P沟道 Pmos, -12V -4A ,富满3401升级版

3415规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)12V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)4A
栅源极阈值电压1.4V @ 250uA
漏源导通电阻55mΩ @ 3A,4.5V
类型P沟道

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深圳市富满电子集团股½有限公司
SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD.
3415
(文件编号:S&CIC0937)
特点
超½电阻
R
DS(ON)
<55mΩ @ V
GS
=-4.5V
R
DS(ON)
<75mΩ @ V
GS
=-2.5V
可靠耐用
12V P
沟道
MOS
场效应管
产品应用
笔记本电脑的电源管理,便携式设备和电池供电的系统。
绝对最大额定值
(
T
A
=25℃,除非另有说明)
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
T
J
T
STG
R
θJA
b
参数
漏源电压
栅源电压
漏极电流
漏极脉冲电流
最大结温
储存温度
结环热阻
-12
±8
-4
-10
150
-55 to 150
150
℃/W
A
单½
V
静态电特性
符号
静态特性
BV
DSS
I
DSS
V
GS(th)
I
GSS
R
DS(ON)
V
SD
R
G
(T
A
=25℃,除非另有说明)
参数
测试条件
V
GS
=0V, I
DS
=250µA
V
DS
=-12V, V
GS
=0V,
T
A
=85℃
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250µA
V
DS
=±8V, V
DS
=0V
V
GS
=-4.5V, I
DS
=-3.0A
50
68
110
V
GS
=-2.5V, I
DS
=-2.0A
V
GS
=-1.8V, I
DS
=-1.0A
I
SD
=-3.5A, V
GS
=0V
VGS=0.VDS=0.V
Frequency=1MHZ
--
6
-0.5
-0.7
最小
-12
-1
-10
-1.4
±100
55
75
120
-1.3
--
V
Ω
mΩ
µA
V
nA
典型
最大
单½
V
漏源击穿电压
栅源短路时,漏极电流
栅极阈值电压
栅漏电流
内阻
二极管正向电压
栅极输入电阻
1
页 共
1
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