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SS110-A

产品描述直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):850mV @ 1A VR=100V IO=1A VF=0.85V@1A
产品类别分立半导体    肖特基二极管   
文件大小519KB,共3页
制造商台湾美丽微(FMS)
官网地址http://www.formosagr.com/
FMS公司为领先业界的全球制造商与供货商,拥有半导体上下游整合与自有核心技术的优势,主要从事TVS、肖特基二极管、快恢复二极管、桥堆二极管、MOS功率半导体等分离式器件的研发及生产。FMS搭配洞察市场趋势的观察力,不断推出符合市场需求的薄型化封装。同时为布局产品细分市场及公司营销战略规划,MOS产品推出安邦半导体品牌(Anbon Semi),该品牌同为深圳市美丽微半导体所有。
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SS110-A概述

直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):850mV @ 1A VR=100V IO=1A VF=0.85V@1A

SS110-A规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)100V
平均整流电流(Io)1A
正向压降(Vf)850mV @ 1A

SS110-A文档预览

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SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
SS12-A THRU SS120-A
1.0A Surface Mount Schottky Barrier
Rectifiers - 20V-200V
Package outline
Features
The plastic package carries Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
For surface mounted applications
Metal silicon junction,majority carrier conduction
Low power loss,high efficiency
Built-in strain relief,ideal for automated placement
High forward surge current capability
High temperature soldering guaranteed:
250 C/10 seconds at terminals
Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU
Suffix"-H" indicates Halogen-free part,ex.SS14-A-H
Formosa MS
SMA/DO-214AC
0.067 (1.70)
0.051 (1.30)
0.108(2.75)
0.096(2.45)
0.177(4.50)
0.157(3.99)
0.012(0.305)
0.006(0.152)
0.096(2.42)
0.078(1.98)
Mechanical data
Case:
JEDEC DO-214AC molded plastic body
Terminals:
Solder plated, solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity:
Color band denotes cathode end
Mounting Position:
Any
Weight:0.002
ounce, 0.07 grams
0.060(1.52)
0.030(0.76)
0.008(0.203)MAX.
0.208(5.28)
0.188(4.80)
Dimensions in inches and (millimeters)
Maximum ratings and Electrical Characteristics
(AT
PARAMETER
Forward rectified current
Forward surge current
See Fig.2
CONDITIONS
T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
Symbol
I
O
I
FSM
I
R
R
θJA
C
J
T
STG
-65
88
110
+150
MIN.
TYP.
MAX.
1.0
30
0.5
10
UNIT
A
A
8.3ms single half sine-wave (JEDEC methode)
V
R
= V
RRM
T
A
= 25
O
C
V
R
= V
RRM
T
A
= 100 C
Junction to ambient
NOTE 1
f=1MHz and applied 4V DC reverse voltage
O
Reverse current
Thermal resistance
Diode junction capacitance
Storage temperature
m
A
O
C/W
pF
O
C
Note:
1.P.C.B. mounted with 0.2x0.2”(5.0x5.0mm) copper pad areas
Operating
temperature
T
J
, (
O
C)
-55 to +125
SYMBOLS
SS12-A
SS13-A
SS14-A
SS15-A
SS16-A
SS18-A
SS110-A
SS115-A
SS120-A
*1
V
RRM
(V)
20
30
40
50
60
80
100
150
200
V
RMS
*2
(V)
14
21
28
35
42
56
70
105
140
*3
V
R
(V)
20
30
40
50
60
80
100
150
200
*4
V
F
(V)
*1 Repetitive peak reverse voltage
*2 RMS voltage
*3 Continuous reverse voltage
0.55
0.70
0.85
0.92
-55 to +150
*4 Maximum forward voltage@I
F
=1.0A
http://www.formosams.cn
TEL:886-755-27188611
FAX:886-755-27188568
Document ID
Issued Date
2003/03/08
Revised Date
2012/05/16
Revision
D
Page.
3
Page 1
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