Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> MOS(场效应管)> AS2306

AS2306: 产品描述漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：40mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.2W 类型：N沟道 N沟道,20V,4A,60mΩ@2.5V; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小2MB，共3页; 制造商台湾美丽微(FMS); 官网地址http://www.formosagr.com/; FMS公司为领先业界的全球制造商与供货商，拥有半导体上下游整合与自有核心技术的优势，主要从事TVS、肖特基二极管、快恢复二极管、桥堆二极管、MOS功率半导体等分离式器件的研发及生产。FMS搭配洞察市场趋势的观察力，不断推出符合市场需求的薄型化封装。同时为布局产品细分市场及公司营销战略规划，MOS产品推出安邦半导体品牌(Anbon Semi)，该品牌同为深圳市美丽微半导体所有。

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AS2306概述

漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：40mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.2W 类型：N沟道 N沟道,20V,4A,60mΩ@2.5V

AS2306规格参数

参数名称	属性值
漏源电压（Vdss）	20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	4A
栅源极阈值电压	1.5V @ 250uA
漏源导通电阻	40mΩ @ 4A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）	1.2W
类型	N沟道

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AS2306

N-Channel MOSFET

SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS

FEATURE

TrenchFET Power MOSFET

SOT-23

1. GATE

APPLICATIONS

Load Switch for Portable Devices

DC/DC Converter

2. SOURCE

3. DRAIN

MARKING: A 6

Maximum ratings (T

=25℃ unless otherwise noted)

Characteristic

特性參數

Drain-Source V oltage

漏極-源極電壓

Gate- Source V oltage

栅極-源極電壓

Drain Current (continuous)

漏極電流-連續

Drain Current (pulsed)

漏極電流-脉冲

Total Device Dissipation

½耗散功率

25℃環境溫度爲 25℃

Junction

結溫

Solder Temperature/Solder Time

焊接溫度/焊接時間

Storage Temperature

儲存溫度

Symbol

符號

DSS

T/t

stg

Max

最大值

+10

1200

150

260/10

-55to+150

Unit

單½

℃

℃/S

℃

http://www.anbonsemi.com

TEL:886-755-23776891

FAX:886-755-81482182

Document ID

Issued Date

2003/03/08

Revised Date

2012/05/16

Revision

Page.

Page 1

AS-3150036

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