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AS3423B

产品描述漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:P沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小427KB,共3页
制造商台湾美丽微(FMS)
官网地址http://www.formosagr.com/
FMS公司为领先业界的全球制造商与供货商,拥有半导体上下游整合与自有核心技术的优势,主要从事TVS、肖特基二极管、快恢复二极管、桥堆二极管、MOS功率半导体等分离式器件的研发及生产。FMS搭配洞察市场趋势的观察力,不断推出符合市场需求的薄型化封装。同时为布局产品细分市场及公司营销战略规划,MOS产品推出安邦半导体品牌(Anbon Semi),该品牌同为深圳市美丽微半导体所有。
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AS3423B概述

漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:P沟道

AS3423B规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)3A
栅源极阈值电压1.5V @ 250uA
漏源导通电阻90mΩ @ 3A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)1W
类型P沟道

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P-Channel Enhancement Mode MOSFET
AS3423B
Product Summary
V
(BR)DSS
-20V
110mΩ@-2.5V
R
DS(on)MAX
90mΩ@-4.5V
-3A
I
D
Formosa MS
Feature
Advanced trench process technology
High density cell design for ultra low on-resistance
Application
Load Switch for Portable Devices
DC/DC Converter
Package
Circuit diagram
SOT-23-3L
Marking
AS23
http://www.formosagr.com
TEL:886-755-27188611
FAX:886-755-27188568
Page 1
Document ID
FM-3150321
Issued Date
2003/03/08
Revised Date
2012/05/16
Revision
D
Page.
3
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