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CJ432 ±1%

产品描述输出电压(最小值/固定):1.24V 输出电流:100mA 输出电压(最大值):18V 输出类型:可调式 温度系数:- 参考源类型:分流器
产品类别电源/电源管理    电压基准芯片   
文件大小432KB,共4页
制造商长电科技(JCET)
官网地址http://www.cj-elec.com/

江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务,为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市,成为国内首家半导体封测上市公司,现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站,是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件:二极管(开关二极管,肖特基二极管(肖特基整流管),稳压二极管,Pin二极管,TVS二极管,整流二极管,快恢复二极管);晶体管(达林顿管,数字晶体管,MOSFET);晶闸管:可控硅整流器,三端双向可控硅;复合管:晶体管+场效应管,双晶体管,双数字晶体管,数字晶体管+晶体管,晶体管+二极管,场效应管+二极管,双场效应管。稳压电路;节能灯充电器开关管

引线框架:TO系列(TO);SOD系列(SOD);SOT系列(TSOT,SOT);FBP系列(WBFBP);QFN系列(QFNWB,DFNWB,DFNFC,QFNFC);QFP系列(LQFP:PQFP:PLCC:TQFP);SIP系列(SIP,HSIP,FSIP);SOP系列(SOP,HSOP,SSOP,MSOP,HTSOP,TSSOP);DIP系列(DIP,FDIP,SDIP);PDFN系列;PQFN系列;MIS系列(MISFC,MISWB)

九大核心技术:硅穿孔(TSV)封装技术;SiP射频封装技术;圆片级三维再布线封装工艺技术;铜凸点互连技术;高密度FC-BGA封测技术(Flip Chip BGA);多圈阵列四边无引脚封测技术;封装体三维立体堆叠技术;50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术;MEMS多芯片封装技术;MIS封装技术(预包封互联系统);BGA封装技术等。

 

 

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CJ432 ±1%概述

输出电压(最小值/固定):1.24V 输出电流:100mA 输出电压(最大值):18V 输出类型:可调式 温度系数:- 参考源类型:分流器

CJ432 ±1%规格参数

参数名称属性值
输出电压(最小值/固定)1.24V
输出电流100mA
输出电压(最大值)18V
输出类型可调式
工作温度0°C ~ 70°C(TA)
阴极电流100uA
精度±1%
参考源类型分流器

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-23 Encapsulate Adjustable Reference Source
CJ432
Adjustable Accurate Reference Source
SOT-23
1. REFERENCE
DEVICE DESCRIPSION
The CJ432 is a three-terminal Shunt Voltage Reference providing a
highly accurance 1.24V. The CJ432 thermal stability and wide operating
current, makes is sritable for all variety of applications that are looking
for a low cost solution with high performance.
FEATURES
Low dynamic output impedance
The effective temperature compensation in the working
range of full temperature
Low output noise voltage
Fast on -state response
Sink current capability of 0.1mA to100mA
APPLICATION
Shunt Regulator
High-Current Shunt Regulator
Precision Current Limiter
2. CATHODE
3. ANODE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Operating temperature rangeapplies unless otherwise specified)
Parameter
Cathode Voltage
Cathode Current Range (continuous)
Reference lnput Current Range
Power Dissipation
Thermal Resistance from Junction to Ambient
Operating Temperature
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
KA
I
KA
I
ref
P
D
R
θJA
T
opr
T
J
T
stg
Value
18
100
6
350
357
0~+70
150
-65~+150
Units
V
mA
μA
mW
℃/W
,
,201
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