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1SS380

产品描述反向恢复时间(trr):- 直流反向耐压(Vr):35V 平均整流电流(Io):100mA 正向压降(Vf):1.2V @ 100mA 35V,100mA,VF=1.2V@100mA
产品类别分立半导体    开关二极管   
文件大小116KB,共3页
制造商长电科技(JCET)
官网地址http://www.cj-elec.com/

江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务,为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市,成为国内首家半导体封测上市公司,现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站,是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件:二极管(开关二极管,肖特基二极管(肖特基整流管),稳压二极管,Pin二极管,TVS二极管,整流二极管,快恢复二极管);晶体管(达林顿管,数字晶体管,MOSFET);晶闸管:可控硅整流器,三端双向可控硅;复合管:晶体管+场效应管,双晶体管,双数字晶体管,数字晶体管+晶体管,晶体管+二极管,场效应管+二极管,双场效应管。稳压电路;节能灯充电器开关管

引线框架:TO系列(TO);SOD系列(SOD);SOT系列(TSOT,SOT);FBP系列(WBFBP);QFN系列(QFNWB,DFNWB,DFNFC,QFNFC);QFP系列(LQFP:PQFP:PLCC:TQFP);SIP系列(SIP,HSIP,FSIP);SOP系列(SOP,HSOP,SSOP,MSOP,HTSOP,TSSOP);DIP系列(DIP,FDIP,SDIP);PDFN系列;PQFN系列;MIS系列(MISFC,MISWB)

九大核心技术:硅穿孔(TSV)封装技术;SiP射频封装技术;圆片级三维再布线封装工艺技术;铜凸点互连技术;高密度FC-BGA封测技术(Flip Chip BGA);多圈阵列四边无引脚封测技术;封装体三维立体堆叠技术;50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术;MEMS多芯片封装技术;MIS封装技术(预包封互联系统);BGA封装技术等。

 

 

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1SS380概述

反向恢复时间(trr):- 直流反向耐压(Vr):35V 平均整流电流(Io):100mA 正向压降(Vf):1.2V @ 100mA 35V,100mA,VF=1.2V@100mA

1SS380规格参数

参数名称属性值
直流反向耐压(Vr)35V
平均整流电流(Io)100mA
正向压降(Vf)1.2V @ 100mA

1SS380文档预览

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Switching Diode
1SS380
Applications
High speed switching
½产兼容型号,此资料仅供参考!
Dimensions
(Unit : mm)
1.25±0.1
0.1±0.1
    0.05
Land
size figure
(Unit : mm)
1.7±0.1
2.5±0.2
Features
1)Ultra small mold type. (UMD2)
2)High reliability
0.8MIN.
0.9MIN.
UMD2
Construction
Silicon epitaxial planar
0.3±0.05
0.7±0.2
    0.1
Structure
ROHM : UMD2
JEDEC : SOD-323
JEITA : SC-90/A
dot (year week factory)
Taping
dimensions
(Unit : mm)
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.55±0.05
1.75±0.1
0.3±0.1
3.5±0.05
8.0±0.2
1.40±0.1
4.0±0.1
φ1.05
1.0±0.1
Absolute
maximum ratings
(Ta=25C)
Parameter
Symbol
V
RM
Reverse voltage (repetitive peak)
V
R
Reverse voltage (DC)
I
FM
Forward current
Average rectified forward current
Io
I
surge
Surge current (t=1s)
Junction temperature
Tj
Storage temperature
Tstg
Limits
40
35
225
100
400
150
55
to
150
Unit
V
V
mA
mA
mA
C
C
Electrical
characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Symbol
V
F
Forward voltage
I
R
Reverse current
Capacitance between terminals
Ct
Min.
-
-
-
Typ.
-
-
-
Max.
1.2
0.01
5.0
Unit
V
μA
pF
I
F
=100mA
V
R
=20V
V
R
=0.5V , f=1MHz
www.rohm.com
©2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2.75
Conditions
1/2
2011.08 - Rev.C
2.8±0.1
2.1
根据 LT_MINI_M16 原理图画的AVR板子,欢迎指导
欢迎指导啊,...
onewu Microchip MCU
求Agilent TLF中文版
求 Agilent Transmission-Line Fundamentals中文版或电子版 ...
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