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MMDT3946

产品描述晶体管类型:NPN,PNP 集电极电流Ic:200mA 集射极击穿电压Vce:40V 额定功率:200mW
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小279KB,共4页
制造商长电科技(JCET)
官网地址http://www.cj-elec.com/

江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务,为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市,成为国内首家半导体封测上市公司,现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站,是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件:二极管(开关二极管,肖特基二极管(肖特基整流管),稳压二极管,Pin二极管,TVS二极管,整流二极管,快恢复二极管);晶体管(达林顿管,数字晶体管,MOSFET);晶闸管:可控硅整流器,三端双向可控硅;复合管:晶体管+场效应管,双晶体管,双数字晶体管,数字晶体管+晶体管,晶体管+二极管,场效应管+二极管,双场效应管。稳压电路;节能灯充电器开关管

引线框架:TO系列(TO);SOD系列(SOD);SOT系列(TSOT,SOT);FBP系列(WBFBP);QFN系列(QFNWB,DFNWB,DFNFC,QFNFC);QFP系列(LQFP:PQFP:PLCC:TQFP);SIP系列(SIP,HSIP,FSIP);SOP系列(SOP,HSOP,SSOP,MSOP,HTSOP,TSSOP);DIP系列(DIP,FDIP,SDIP);PDFN系列;PQFN系列;MIS系列(MISFC,MISWB)

九大核心技术:硅穿孔(TSV)封装技术;SiP射频封装技术;圆片级三维再布线封装工艺技术;铜凸点互连技术;高密度FC-BGA封测技术(Flip Chip BGA);多圈阵列四边无引脚封测技术;封装体三维立体堆叠技术;50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术;MEMS多芯片封装技术;MIS封装技术(预包封互联系统);BGA封装技术等。

 

 

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MMDT3946概述

晶体管类型:NPN,PNP 集电极电流Ic:200mA 集射极击穿电压Vce:40V 额定功率:200mW

MMDT3946规格参数

参数名称属性值
厂商名称长电科技(JCET)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.2 A
最小直流电流增益 (hFE)30
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN/PNP
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
表面贴装YES
标称过渡频率 (fT)250 MHz

MMDT3946文档预览

下载PDF文档
-,$1*68 &+$1*-,$1* (/(&7521,&6 7(&+12/2*< &2 /7'
JCET
00'7
627 3ODVWLF(QFDSVXODWH 7UDQVLVWRUV
DUAL TRANSISTOR (NPN+PNP)
627
6
5
4
)($785(6
z
Complementary Pair
z
One 3904-Type NPN
One 3906-Type PNP
Epitaxial Planar Die Construction
z
Ideal for Low Power Amplification and Switching
z
0$.,1* .
0$;,080 5$7,1*6 7
D

6\PERO
9
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0.2
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8QLWV
V
V
V
A
W
3DUDPHWHU
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current -Continuous
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
131  (/(&75,&$/ &+$5$&7(5,67,&6 7D 
3DUDPHWHU
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&ROOHFWRUHPLWWHU EUHDNGRZQ YROWDJH
(PLWWHUEDVH EUHDNGRZQ YROWDJH
&ROOHFWRU FXWRII FXUUHQW
&ROOHFWRU FXWRII FXUUHQW
(PLWWHU FXWRII FXUUHQW
6\PERO
V
(BR)CBO
V
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V
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I
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I
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I
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h
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h
FE(5)
&ROOHFWRUHPLWWHU VDWXUDWLRQ YROWDJH
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7UDQVLWLRQ IUHTXHQF\
1RLVH ILJXUH
2XWSXW FDSDFLWDQFH
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V
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V
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V
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V
BE(sat)2
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I
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0.2
0.3
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4
35
35
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50
0.85
0.95
V
V
V
V
MHz
dB
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nS
nS
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V
V
V
A
A
A
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I
C
= 1mA,
I
C
= 10 A, I
E
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I
E
= 10 A, I
C
=0
V
CB
= 30 V ,
V
CE
= 30 V ,
V
CE
= 1V,
V
CE
= 1V,
V
CE
= 1V,
V
CE
= 1V,
V
CE
= 1V,
V
EB
= 5V , I
C
=0
I
C
= 0.1mA
I
C
= 1mA
I
C
= 10mA
I
C
= 50mA
I
C
= 100mA
I
C
=10 mA, I
B
= 1mA
I
C
=50 mA, I
B
= 5mA
I
C
= 10 mA,
I
C
= 50 mA,
I
B
= 1mA
I
B
= 5mA
V
CE
=20V,I
C
=20mA, f=100MHz
V
CE
=5V,I
c
=0.1mA,
f=1KHz,Rg=1K
V
CB
=5V,I
E
=0,f=1MHz
V
CC
=3V, V
BE
=0.5V
I
C
=10mA , I
B1
=- I
B2
=1mA
V
CC
=3V, I
C
=10mA
I
B1
=-I
B2
= 1mA
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