电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

2SD2153

产品描述额定功率:500mW 集电极电流Ic:2A 集射极击穿电压Vce:25V 晶体管类型:NPN NPN,Vceo=25V,Ic=2A,hfe=820~1800
产品类别分立半导体    三极管   
文件大小428KB,共2页
制造商长电科技(JCET)
官网地址http://www.cj-elec.com/

江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务,为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市,成为国内首家半导体封测上市公司,现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站,是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件:二极管(开关二极管,肖特基二极管(肖特基整流管),稳压二极管,Pin二极管,TVS二极管,整流二极管,快恢复二极管);晶体管(达林顿管,数字晶体管,MOSFET);晶闸管:可控硅整流器,三端双向可控硅;复合管:晶体管+场效应管,双晶体管,双数字晶体管,数字晶体管+晶体管,晶体管+二极管,场效应管+二极管,双场效应管。稳压电路;节能灯充电器开关管

引线框架:TO系列(TO);SOD系列(SOD);SOT系列(TSOT,SOT);FBP系列(WBFBP);QFN系列(QFNWB,DFNWB,DFNFC,QFNFC);QFP系列(LQFP:PQFP:PLCC:TQFP);SIP系列(SIP,HSIP,FSIP);SOP系列(SOP,HSOP,SSOP,MSOP,HTSOP,TSSOP);DIP系列(DIP,FDIP,SDIP);PDFN系列;PQFN系列;MIS系列(MISFC,MISWB)

九大核心技术:硅穿孔(TSV)封装技术;SiP射频封装技术;圆片级三维再布线封装工艺技术;铜凸点互连技术;高密度FC-BGA封测技术(Flip Chip BGA);多圈阵列四边无引脚封测技术;封装体三维立体堆叠技术;50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术;MEMS多芯片封装技术;MIS封装技术(预包封互联系统);BGA封装技术等。

 

 

下载文档 详细参数 全文预览

2SD2153概述

额定功率:500mW 集电极电流Ic:2A 集射极击穿电压Vce:25V 晶体管类型:NPN NPN,Vceo=25V,Ic=2A,hfe=820~1800

2SD2153规格参数

参数名称属性值
额定功率500mW
集电极电流Ic2A
集射极击穿电压Vce25V
晶体管类型NPN

2SD2153文档预览

下载PDF文档
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors
2SD2153
FEATURES
SOT-89-3L
TRANSISTOR (NPN)
1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
Low saturation voltage
Excellent DC current gain characteristics
MARKING: DN
MAXIMUM RATINGS(T
a
=25
unless otherwise noted)
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
*
P
C
R
θJA
T
J
T
stg
Collector -Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Pulsed Collector Current
Collector Dissipation
Thermal Resistance from Junction to Ambient
Junction Temperature
Storage Temperature
Parameter
Value
30
25
6
2
3
0.5
250
150
-55~+150
Unit
V
V
V
A
A
W
℃/
W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T
a
=25℃ unless otherwise noted)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector capacitance
*Single pulse, P
W
=10ms
Symbol
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE(sat)
f
T
C
ob
*
Test conditions
I
C
=50μA,I
E
=0
I
C
=1mA,I
B
=0
I
E
=50μA, I
C
=0
V
CB
=20V,I
E
=0
V
EB
=5V,I
C
=0
V
CE
=6V,I
C
=500mA
I
C
=1A,I
B
=20mA
V
CE
=10V,I
C
=10mA,f=100MHz
V
CB
=10V, I
E
=0,f=1MHz
Min
30
25
6
Typ
Max
Unit
V
V
V
0.5
0.5
560
2700
0.5
110
22
μA
μA
V
MHz
pF
CLASSIFICATION OF h
FE
Rank
Range
U
560~1200
V
820~1800
W
1200~2700
B,Apr,2012
浮点预算单元设计与实现
浮点运算,入门易懂!...
duanwuyu DSP 与 ARM 处理器
Vishay 推出新型超薄电感器
VishayIntertechnology宣布推出占位面积为2525,厚度仅为3.0毫米并且具有1.0μH~22μH电感值的新型器件,从而扩展了其超薄、高电流的IHLP电感器系列。 凭借在各自封装尺寸类别中最低的DCR/μH ......
rain 分立器件
EEWORLD大学堂----linux从入门到精通
linux从入门到精通:https://training.eeworld.com.cn/course/4272该课程讲解了FTL服务器搭建,HTTP服务器搭建及LINUX编程,shell编程及进程管理,网络配置等内容...
老白菜 单片机
电路设计中的ESD的设计措施
本帖最后由 qwqwqw2088 于 2018-9-13 08:04 编辑 电路设计中的ESD的设计措施 1、雪崩二极管来进行ESD保护。 这也是设计中经常用到的一种方法,典型做法就是在关键信号线并联一雪崩二极 ......
qwqwqw2088 模拟与混合信号
学习资料!!
http://www.714e.com/bbs/images/logo.gif...
yoyomomo 嵌入式系统
USART2寄存器操作没有执行?
195210 选用PA2为输出Tx,设置USART2->BBR,波特率设为9600,换算为16进制传入, 但是烧进去发现没有数据输出,调试的时候发现,USART2->BBR |= 0X0EA6 这句并没有作用 195211 寄存 ......
dantemin stm32/stm8
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved