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BZT52C11S

产品描述精度:- 稳压值(典型值):11V 反向漏电流:100nA @ 8V 最大功率:200mW 11V 0.2W
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小569KB,共3页
制造商长电科技(JCET)
官网地址http://www.cj-elec.com/

江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务,为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市,成为国内首家半导体封测上市公司,现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站,是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件:二极管(开关二极管,肖特基二极管(肖特基整流管),稳压二极管,Pin二极管,TVS二极管,整流二极管,快恢复二极管);晶体管(达林顿管,数字晶体管,MOSFET);晶闸管:可控硅整流器,三端双向可控硅;复合管:晶体管+场效应管,双晶体管,双数字晶体管,数字晶体管+晶体管,晶体管+二极管,场效应管+二极管,双场效应管。稳压电路;节能灯充电器开关管

引线框架:TO系列(TO);SOD系列(SOD);SOT系列(TSOT,SOT);FBP系列(WBFBP);QFN系列(QFNWB,DFNWB,DFNFC,QFNFC);QFP系列(LQFP:PQFP:PLCC:TQFP);SIP系列(SIP,HSIP,FSIP);SOP系列(SOP,HSOP,SSOP,MSOP,HTSOP,TSSOP);DIP系列(DIP,FDIP,SDIP);PDFN系列;PQFN系列;MIS系列(MISFC,MISWB)

九大核心技术:硅穿孔(TSV)封装技术;SiP射频封装技术;圆片级三维再布线封装工艺技术;铜凸点互连技术;高密度FC-BGA封测技术(Flip Chip BGA);多圈阵列四边无引脚封测技术;封装体三维立体堆叠技术;50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术;MEMS多芯片封装技术;MIS封装技术(预包封互联系统);BGA封装技术等。

 

 

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BZT52C11S概述

精度:- 稳压值(典型值):11V 反向漏电流:100nA @ 8V 最大功率:200mW 11V 0.2W

BZT52C11S规格参数

参数名称属性值
厂商名称长电科技(JCET)
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
配置SINGLE
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗20 Ω
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大功率耗散0.2 W
标称参考电压11 V
表面贴装YES
最大电压容差5.4%
工作测试电流5 mA
Base Number Matches1

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOD-323 Plastic-Encapsulate Diodes
BZT52C2V4S-BZT52C39S
FEATURES
Planar die construction
200mW power dissipation on ceramic PBC
General purpose,
medium
current
Ideally suited for automated assembly processes
Available in
lead
free version
ZENER DIODE
SOD-323
Maximum Ratings
(T
a
=25℃ unless otherwise specified
)
Characteristic
Forward Voltage (Note 2) @ I
F
= 10mA
Power Dissipation(Note 1)
Thermal Resistance
Temperature
Storage Temperature Range
Junction to Ambient
Symbol
V
F
P
D
R
θJA
T
j
T
Value
0.9
200
625
150
- 5~+150
Unit
V
mW
℃/W
D,Jan,2014
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