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BZX84C30

产品描述精度:- 稳压值(典型值):30V 反向漏电流:100nA @ 21V 最大功率:300mW 30V,2mA,300mW
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小901KB,共5页
制造商长电科技(JCET)
官网地址http://www.cj-elec.com/

江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务,为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市,成为国内首家半导体封测上市公司,现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站,是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件:二极管(开关二极管,肖特基二极管(肖特基整流管),稳压二极管,Pin二极管,TVS二极管,整流二极管,快恢复二极管);晶体管(达林顿管,数字晶体管,MOSFET);晶闸管:可控硅整流器,三端双向可控硅;复合管:晶体管+场效应管,双晶体管,双数字晶体管,数字晶体管+晶体管,晶体管+二极管,场效应管+二极管,双场效应管。稳压电路;节能灯充电器开关管

引线框架:TO系列(TO);SOD系列(SOD);SOT系列(TSOT,SOT);FBP系列(WBFBP);QFN系列(QFNWB,DFNWB,DFNFC,QFNFC);QFP系列(LQFP:PQFP:PLCC:TQFP);SIP系列(SIP,HSIP,FSIP);SOP系列(SOP,HSOP,SSOP,MSOP,HTSOP,TSSOP);DIP系列(DIP,FDIP,SDIP);PDFN系列;PQFN系列;MIS系列(MISFC,MISWB)

九大核心技术:硅穿孔(TSV)封装技术;SiP射频封装技术;圆片级三维再布线封装工艺技术;铜凸点互连技术;高密度FC-BGA封测技术(Flip Chip BGA);多圈阵列四边无引脚封测技术;封装体三维立体堆叠技术;50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术;MEMS多芯片封装技术;MIS封装技术(预包封互联系统);BGA封装技术等。

 

 

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BZX84C30概述

精度:- 稳压值(典型值):30V 反向漏电流:100nA @ 21V 最大功率:300mW 30V,2mA,300mW

BZX84C30规格参数

参数名称属性值
厂商名称长电科技(JCET)
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗80 Ω
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大功率耗散0.35 W
标称参考电压30 V
表面贴装YES
最大电压容差6.6%
工作测试电流2 mA

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-23 Plastic-Encapsulate D
BZX84C2V4-BZX84C43
ZENER DIODE
SOT-23
FEATURES
Planar Die Construction
300mW Power Dissipation
Zener Voltages from 2.4V -
43V
Ultra-Small Surface Mount Package Power
Dissipation
Maximum Ratings(T
a
=25℃ unless otherwise specified)
Characteristic
Forward Voltage (Note 2)
Power Dissipation(Note 1)
Junction Temperature
Storage Temperature Range
@ I
F
= 10mA
Symbol
V
F
P
d
R
θJA
T
j
T
stg
Value
0.9
300
417
150
-55~+150
Unit
V
mW
/W
Thermal Resistance
from
Junction to Ambient
ZZZFMHOHFFRP
1
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