Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> MMDT3906

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MMDT3906: 产品描述额定功率：200mW 集电极电流Ic：200mA 集射极击穿电压Vce：40V 晶体管类型：2 PNP(双); 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小298KB，共1页; 制造商长电科技(JCET); 官网地址http://www.cj-elec.com/; 江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

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MMDT3906概述

额定功率：200mW 集电极电流Ic：200mA 集射极击穿电压Vce：40V 晶体管类型：2 PNP(双)

MMDT3906规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	长电科技(JCET)
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknown
最大集电极电流 (IC)	0.2 A
最小直流电流增益 (hFE)	30
最高工作温度	150 °C
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.2 W
表面贴装	YES
标称过渡频率 (fT)	250 MHz

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors

MMDT3906

DUAL TRANSISTOR(PNP)

SOT-363

FEATURES

Epitaxial planar die construction

Ideal for low power amplification and switching

MARKING:K3N

MAXIMUM RATINGS(T

=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

CBO

CEO

EBO

θJA

stg

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance. Junction to Ambient Air

Junction Temperature

Storage Temperature

Parameter

Value

-40

-5

-0.2

0.2

625

150

-55-150

Units

℃/W

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25℃unless otherwise specified)

Parameter

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Base cut-off current

Symbol

(BR)CBO

(BR)CEO

(BR)EBO

CEX

EBO

FE(1)

FE(2)

DC current gain

FE(3)

FE(4)

FE(5)

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

Collector output capacitance

Noise figure

Delay time

Rise time

Storage time

Fall time

CE(sat)1

CE(sat)2

BE(sat)1

BE(sat)2

Test

conditions

=-10μA,I

=-1mA,I

=-10μA,I

=-30V,V

EB(OFF)

=-3V

=-5V,I

=-1V,I

=-0.1mA

=-1V,I

=-1mA

=-1V,I

=-10mA

=-1V,I

=-50mA

=-1V,I

=-100mA

=-10mA,I

=-1mA

=-50mA,I

=-5mA

=-10mA,I

=-1mA

=-50mA,I

=-5mA

=-20V,I

=-10mA,f=100MHz

=-5V,I

=0,f=1MHz

=-5V,I

=-0.1mA,f=1KHz,R

=1KΩ

=-3V, V

=0.5V

=-10mA , I

=-I

=-1mA

=-3V, I

=-10mA

=-I

=- 1mA

250

4.5

225

-0.65

100

-0.25

-0.4

-0.85

-0.95

MHz

300

Min

-40

-5

-50

Typ

Max

Unit

A,Jun,2011

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