Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 数字三极管> UMG8N

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UMG8N: 产品描述额定功率：150mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式(双) UMG8N; 产品类别分立半导体数字三极管; 文件大小672KB，共4页; 制造商长电科技(JCET); 官网地址http://www.cj-elec.com/; 江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

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UMG8N概述

额定功率：150mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式(双) UMG8N

UMG8N规格参数

参数名称	属性值
额定功率	150mW
集电极电流Ic	100mA
集射极击穿电压Vce	50V
晶体管类型	2 个 NPN 预偏压式(双)

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

JC T

UMG8N

Digital Transistors (Built-in Resistors)

Dual Digital Transistors (NPN+NPN)

SOT-353

FEATURE

Built-In biasing resistors

Two DTC143Z chips in one package

Emitter(GND)-common type

Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit

without connecting external input resistors (see inner circuit)

The bias resistors consist of thin-film resistors with complete

isolation to allow negative biasing of the input. They also have the

advantage of completely eliminating parasitic effects

Only the on/off conditions need to be set for operation, making the circuit design easy

APPLICATION

Inverter circuit, Interface circuit, Driver circuit

MARKING: G8

Absolute maximum ratings (T

=25℃)

Symbol

stg

Supply voltage

Input voltage

Output current

Power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

(For Tr1 and Tr2 in common)

Value

-5~+30

100

150(Total*)

150

-55~+150

Unit

℃

Parameter

*120mW per element must not be exceeded

Electrical Characteristics (T

=25℃)

Parameter

Input turn-on voltage

Input cut-off voltage

Output voltage

Input cut-off current

Output cut-off current

DC current gain

Input resistance

Resistance ratio

Transition frequency

Symbol

i(on)

i(off)

O(on)

O(off)

(For Tr1 and Tr2 in common)

Test

conditions

Min

0.5

0.3

1.8

0.5

3.29

=10V, I

=5mA, f =100MHz

4.7

250

6.11

MHz

kΩ

Typ

Max

1.3

Unit

µA

=0.3V, I

=5mA

=5V, I

=100µA

=5mA, I

=0.25mA

=5V

=50V, V

=5V, I

=10mA

www.cj-elec.com

C,Mar,2016

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