Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> MMBD7000

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MMBD7000: 产品描述反向恢复时间（trr）：4ns 直流反向耐压（Vr）：100V 平均整流电流（Io）：200mA 正向压降（Vf）：1.1V @ 100mA 100V,200mA,trr=4ns,VF=1.1V@100mA,PD=225mW; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小1MB，共4页; 制造商长电科技(JCET); 官网地址http://www.cj-elec.com/; 江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

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MMBD7000概述

反向恢复时间（trr）：4ns 直流反向耐压（Vr）：100V 平均整流电流（Io）：200mA 正向压降（Vf）：1.1V @ 100mA 100V,200mA,trr=4ns,VF=1.1V@100mA,PD=225mW

MMBD7000规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	长电科技(JCET)
Reach Compliance Code	unknown
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.1 V
最高工作温度	150 °C
最大反向恢复时间	0.004 µs
表面贴装	YES

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes

MMBD7000

FEATURES



Dual Swithching Diode

Fast Switching Speed

Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion

For General Purpose Switching Applications

SWITCHING DIODE

SOT-23

MARKING: M5C

M5C

M5C= Device code

Maximum Ratings@Ta=25℃

Parameter

Non-Repetitive Peak Reverse Voltage

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

RMS Reverse Voltage

Average Rectified Output Current

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t =8.3

Power Dissipation

Thermal Resistance,Junction to Ambient

Junction temperature

Storage temperature range

Symbol

RRM

RWM

R(RMS)

FSM

θJA

STG

Limits

100

200

225

556

150

-55~+150

Unit

℃/W

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Reverse breakdown voltage

Reverse voltage leakage current

Symbol

(BR)

Test

=100μA

=50V

=100V

=1mA

Forward voltage

Diode capacitance

Reverse recovery time

=10mA

=100mA

=0V,f

= 1.0MHz

=10mA,

Irr=0.1 x IR,RL=100Ω

0.55

0.67

0.75

conditions

Min

100

1.0

3.0

0.7

0.82

1.1

Max

Unit

μA

www.cj-elec.com

D,Apr,2016

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