Datasheet> 器件分类 > 电源/电源管理> 电源电路> CJ79L08

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CJ79L08: 产品描述输出类型：固定最大输入电压：-30V 输出电流：100mA 输出电压（最小值/固定值）：-8V 79系列8V普通线性稳压; 产品类别电源/电源管理电源电路; 文件大小307KB，共1页; 制造商长电科技(JCET); 官网地址http://www.cj-elec.com/; 江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

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CJ79L08概述

输出类型：固定最大输入电压：-30V 输出电流：100mA 输出电压（最小值/固定值）：-8V 79系列8V普通线性稳压

CJ79L08规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	长电科技(JCET)
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknown

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-89-3L Encapsulate Three-terminal Voltage Regulators

SOT-89-3L

CJ79L08

Three-terminal negative voltage regulator

FEATURES



Maximum

output

current

OM:

0.1 A



Output voltage

1. GND

2. IN

3. OUT

: -8 V



Continuous

total dissipation

: 0.5 W

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Operating temperature range applies unless otherwise specified)

Parameter

Input Voltage

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

Parameter

Symbol

OPR

STG

Test conditions

25℃

Output

Voltage

-10.5V≤V

≤-23V,

Io=1mA~40mA

Io=1mA~70mA

Load Regulation

Line

Regulation

Quiescent Current

Quiescent Current Change

Output Noise Voltage

Ripple Rejection

Dropout Voltage

TYPICAL APPLICATION

ΔVo

ΔIq

UTC

CJ79L08

0.33μF

0.1μF

-11V≤V

≤-23V

1mA≤I

≤40mA

10Hz≤f≤100KHz

-11V≤V

≤-21V,f=120Hz

Io=1mA~100mA

Io=1mA~40mA

-10.5V≤V

≤-23V

-11V≤V

≤-23V

0-125℃

25℃

0-125℃

25℃

0-125℃

25℃

1.7

Value

-30

0~+150

-55~+150

-7.7

-7.6

-8.0

-8.3

-8.4

100

200

150

1.5

0.1

Unit

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS AT SPECIFIED VIRTUAL JINCTION TEMPERATURE

(VI=-14V, Io=40mA,Ci=0.33μF,Co=0.1μF,unless otherwise specified)

Note: Bypass capacitors are recommended for optimum stability and transient response and should be located as close as

possible to the regulators.

B,Apr,2012

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