电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

TESDBLC5V0LED02

产品描述极性:Bidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):5A 箝位电压:10V 击穿电压(最小值):5.8V 反向关断电压(典型值):5V
产品类别分立半导体    ESD二极管   
文件大小727KB,共6页
制造商长电科技(JCET)
官网地址http://www.cj-elec.com/

江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务,为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市,成为国内首家半导体封测上市公司,现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站,是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件:二极管(开关二极管,肖特基二极管(肖特基整流管),稳压二极管,Pin二极管,TVS二极管,整流二极管,快恢复二极管);晶体管(达林顿管,数字晶体管,MOSFET);晶闸管:可控硅整流器,三端双向可控硅;复合管:晶体管+场效应管,双晶体管,双数字晶体管,数字晶体管+晶体管,晶体管+二极管,场效应管+二极管,双场效应管。稳压电路;节能灯充电器开关管

引线框架:TO系列(TO);SOD系列(SOD);SOT系列(TSOT,SOT);FBP系列(WBFBP);QFN系列(QFNWB,DFNWB,DFNFC,QFNFC);QFP系列(LQFP:PQFP:PLCC:TQFP);SIP系列(SIP,HSIP,FSIP);SOP系列(SOP,HSOP,SSOP,MSOP,HTSOP,TSSOP);DIP系列(DIP,FDIP,SDIP);PDFN系列;PQFN系列;MIS系列(MISFC,MISWB)

九大核心技术:硅穿孔(TSV)封装技术;SiP射频封装技术;圆片级三维再布线封装工艺技术;铜凸点互连技术;高密度FC-BGA封测技术(Flip Chip BGA);多圈阵列四边无引脚封测技术;封装体三维立体堆叠技术;50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术;MEMS多芯片封装技术;MIS封装技术(预包封互联系统);BGA封装技术等。

 

 

下载文档 详细参数 全文预览

TESDBLC5V0LED02概述

极性:Bidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):5A 箝位电压:10V 击穿电压(最小值):5.8V 反向关断电压(典型值):5V

TESDBLC5V0LED02规格参数

参数名称属性值
极性Bidirectional
峰值脉冲电流(10/1000us)5A
箝位电压10V
击穿电压(最小值)5.8V
反向关断电压(典型值)5V

TESDBLC5V0LED02文档预览

下载PDF文档
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
WBFBP-02C
DTESDBLC5V0LED02
DESCRIPTION
Plastic-Encapsulate Diodes
Bi-direction ESD Protection Diode
WBFBP-02C
Designed to protect voltage sensitive electronic components from ESD and other
transients. Excellent clamping capability, low leakage, low capacitance, and fast
response time provide best in class protection on designs that are exposed to ESD.
The combination of small size, low capacitance, and high level of ESD protection
makes them a flexible solution for applications such as HDMI, Display Port TM, and
MDDI interfaces. It is designed to replace multiplayer varistors (MLV) in consumer
equipments applications such as mobile phone, notebook, PAD, STB, LCD TV etc.
FEATURES
Bi-directional ESD protection of one line
Low capacitance: 12pF(Typ.)
Low reverse stand−off voltage: 5.0V
Low reverse clamping voltage
Low leakage current
Excellent package:1.0mm×0.6mm×0.5mm
Fast response time
JESD22-A114-B ESD Rating of class 3B per human
body model
IEC 61000-4-2 Level 4 ESD protection
APPLICATIONS
Computers and peripherals
Audio and video equipment
Cellular handsets and accessories
Subscriber identity module(SIM) card protection
Portable electronics
PAD
Other electronics equipments communi-
cation systems
MARKING
H = Device code
Front side
www.cj-elec.com
1
F,Jan,2015
关于WinCE的 explorer自启动
现在通过在线修改WinCE注册表实现 一个小程序的自启动了。Launch80 ="Myapp.exe" 其实还有一种办法是把Launch 50="explorer.exe" 替换为 myapp.exe 但是有一点是有顾忌的, 不启动explo ......
SAI20052005 嵌入式系统
用户自定制LED驱动器的设计
用户自定制LED驱动器的设计 邓成中(西华大学 机械工程与自动化学院, 四川 成都610039)   摘 要:利用Philips公司LPC系列单片机的一些特殊功能,在不外加元件的情况下,定制了一片高性 ......
fighting 模拟电子
关于驱动的简单问题
各位大侠,小弟初学WDM很多地方不明白,有个小问题 int i; ULONG dwByteSize=I.ReadSize(CURRENT); PUCHAR buffer1=new (NoPagedPool)UCHAR; PUCHAR buffer2=I.BufferedReadDest(); ......
hyhjjg 嵌入式系统
AT89s51中文资料
AT89s51中文资料...
z1z1z1z1z1 51单片机
430编译问题
下载程序后,一般情况下光标在主函数开始,点击运行后程序运行,但是写的一个程序下载后就直接处于图片那样运行的状态,都不知道程序运行去哪了,有没有人遇到过这种问题,求大神们帮助 ...
2011302467 微控制器 MCU
超级电容容量及放电时间计算方法
在超级电容的,很多用户都遇到相同的问题,就是怎样计算一定容量的超级电容在以一定电流放电时的放电时间,或者根据放电电流及放电时间,怎么选择超级电容的容量,下面我们给出简单的计算公司, ......
fish001 模拟与混合信号
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved