Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 肖特基二极管> SD101AWS S1

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SD101AWS S1: 产品描述直流反向耐压（Vr）：60V 平均整流电流（Io）：15mA 正向压降（Vf）：1V @ 15mA 60V,15mA,VF=1V@15mA; 产品类别分立半导体肖特基二极管; 文件大小4MB，共1页; 制造商长电科技(JCET); 官网地址http://www.cj-elec.com/; 江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

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SD101AWS S1概述

直流反向耐压（Vr）：60V 平均整流电流（Io）：15mA 正向压降（Vf）：1V @ 15mA 60V,15mA,VF=1V@15mA

SD101AWS S1规格参数

参数名称	属性值
直流反向耐压（Vr）	60V
平均整流电流（Io）	15mA
正向压降（Vf）	1V @ 15mA

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOD-323 Plastic-Encapsulate Diodes

SD101AWS

SCHOTTKY BARRIER DIODE

SOD-323

FEATURES



Low Forward Voltage Drop



Guard Ring Construction for Transient Protection



Negligible Reverse Recovery Time



Very Low Reverse Capacitance

MARKING: S1

MAXIMUM RATINGS ( T

=25

℃

unless otherwise noted )

Symbol

RRM

RWM

R(RMS)

FSM

ΘJA

stg

Parameter

Repetitive Peak Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

RMS reverse voltage

Forward Continuous Current

Non-repetitive Peak Forward Surge Current @ t≤1s

@t=10μs

Power Dissipation

Thermal Resistance from Junction to Ambient

Junction Temperature

Storage Temperature

500

125

-50~+150

200

℃/W

℃

Value

Unit

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T

=25

℃

unless otherwise specified)

Parameter

Reverse voltage

Reverse current

Forward voltage

Total capacitance

Reverse recovery time

Symbol

(BR)

=15mA

tot

=0V,f=1MHz

= I

=5mA, I

=0.1×I

, R

=100Ω

=10μA

=50V

=1mA

Test conditions

Min

0.2

0.41

Typ

Max

Unit

μA

A,Sep,2010

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