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CESD5V0D3 ZA

产品描述极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):15A 箝位电压:15.5V 击穿电压(最小值):6.2V 反向关断电压(典型值):5V 5V,单向,IR=10uA,(8KV接触, 15KV空隙放电)
产品类别分立半导体    ESD二极管   
文件大小311KB,共2页
制造商长电科技(JCET)
官网地址http://www.cj-elec.com/

江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务,为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市,成为国内首家半导体封测上市公司,现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站,是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件:二极管(开关二极管,肖特基二极管(肖特基整流管),稳压二极管,Pin二极管,TVS二极管,整流二极管,快恢复二极管);晶体管(达林顿管,数字晶体管,MOSFET);晶闸管:可控硅整流器,三端双向可控硅;复合管:晶体管+场效应管,双晶体管,双数字晶体管,数字晶体管+晶体管,晶体管+二极管,场效应管+二极管,双场效应管。稳压电路;节能灯充电器开关管

引线框架:TO系列(TO);SOD系列(SOD);SOT系列(TSOT,SOT);FBP系列(WBFBP);QFN系列(QFNWB,DFNWB,DFNFC,QFNFC);QFP系列(LQFP:PQFP:PLCC:TQFP);SIP系列(SIP,HSIP,FSIP);SOP系列(SOP,HSOP,SSOP,MSOP,HTSOP,TSSOP);DIP系列(DIP,FDIP,SDIP);PDFN系列;PQFN系列;MIS系列(MISFC,MISWB)

九大核心技术:硅穿孔(TSV)封装技术;SiP射频封装技术;圆片级三维再布线封装工艺技术;铜凸点互连技术;高密度FC-BGA封测技术(Flip Chip BGA);多圈阵列四边无引脚封测技术;封装体三维立体堆叠技术;50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术;MEMS多芯片封装技术;MIS封装技术(预包封互联系统);BGA封装技术等。

 

 

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CESD5V0D3 ZA概述

极性:Unidirectional 峰值脉冲电流(10/1000us):15A 箝位电压:15.5V 击穿电压(最小值):6.2V 反向关断电压(典型值):5V 5V,单向,IR=10uA,(8KV接触, 15KV空隙放电)

CESD5V0D3 ZA规格参数

参数名称属性值
极性Unidirectional
峰值脉冲电流(10/1000us)15A
箝位电压15.5V
击穿电压(最小值)6.2V
反向关断电压(典型值)5V

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOD-323 Plastic-Encapsulate Diodes
CESD5V0D3
ESD Protection Diode
SOD-323
DESCRIPTION
The CESD5V0D3 is designed to protect voltage sensitive
components from ESD. Excellent clamping capability, low leakage,
and fast response time provide best in class protection on designs that
are exposed to ESD. Because of its small size, it is suited for use in
cellular phones, MP3 players, digital cameras and many other portable
applications where board space is at a premium.
FEATURES
Stand−off Voltage:5.0 V
Low Leakage
Response Time is Typically < 1 ns
ESD Rating of Class 3 (> 16 kV)
Per
Human Body Model
IEC61000−4−2 Level 4 ESD Protection
These are Pb−Free Devices
Maximum Ratings @Ta=25℃
Parameter
Symbol
Limit
±15
±8.0
30
Unit
KV
KV
mW
℃/W
IEC61000−4−2(ESD)
ESD
Voltage
Air
Contact
per human body model
P
D
R
ΘJA
T
L
T
j,
T
stg
Total
Power Dissipation
on FR-5
Board
(Note 1)
Thermal Resistance Junction−to−Ambient
Lead Solder Temperature
Maximum (10 Second Duration)
Junction and Storage
Temperature Range
200
625
260
-55 ~ +150
Stresses exceeding
maximum ratings
may damage the device. Maximum
ratings
are stress ratings only.
Functional operation above the
recommended.
Operating
conditions
is not implied. Extended exposure to
stresses above the
recommended operating conditions
may affect device reliability.
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