Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2N7002K

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2N7002K: 产品描述漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：340mA 栅源极阈值电压：2.5V @ 1mA 漏源导通电阻：5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：350mW 类型：N沟道 N沟道,60V,0.34A,5Ω@10V; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小816KB，共3页; 制造商长电科技(JCET); 官网地址http://www.cj-elec.com/; 江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

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2N7002K概述

漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：340mA 栅源极阈值电压：2.5V @ 1mA 漏源导通电阻：5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：350mW 类型：N沟道 N沟道,60V,0.34A,5Ω@10V

2N7002K规格参数

参数名称	属性值
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	unknown
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (ID)	0.34 A
最大漏源导通电阻	5 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	10 pF
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-23 Plastic-Encapsulate

MOSFETs

2N7002K

N-channel MOSFET

FEATURES

High density cell design for Low R

（

）

Voltage controlled small signal switch

Rugged and reliable

High saturation current capability

ESD protected up to 2KV

Marking: 72K

MOSFET MAXIMUM RATINGS (T

= 25°C unless otherwise noted)

Symbol

stg

θJA

Parameter

Value

340

0.35

150

-55-150

357

Units

℃

Min

2.5

±10

±200

±100

5.3

1.5

Typ

Max

Units

µA

Ω

SOT-23

1. GATE

2. SOURCE

3. DRAIN

Equivalent circuit

Drain-Source voltage

Gate-Source

voltage

Drain Current

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Thermal Resistance

fromJunction

to Ambient

Parameter

Symbol

GS(th)

DSS

GSS1

GSS2

GSS3

MOSFET ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T

=25℃ unless otherwise specified)

Test Condition

= 0V, I

=250µA

, I

=1mA

=48V,V

= 0V

=±20V, V

= 0V

=±10V, V

= 0V

=±5V, V

= 0V

= 4.5V, I

=200mA

=10V,I

=500mA

=0V, I

=300mA

=0V,I

=300mA,V

=25V,

=-100A/µS

Static Characteristics

Drain-Source Breakdown Voltage

Gate Threshold Voltage*

Zero Gate Voltage Drain Current

Gate –Source leakage current

Drain-Source On-Resistance*

Diode Forward Voltage

Recovered charge

Dynamic Characteristics**

Input Capacitance

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

Switching Characteristics**

Turn-On Delay Time

Turn-Off Delay Time

Reverse recovery Time

GATE-SOURCE ZENER DIODE

Gate-Source Breakdown Voltage

DS(on)

iss

oss

rss

=10V,V

=0V,f =1MHz

d(on)

d(off)

=10V,V

=50V,R

=50Ω,

=50Ω, R

=250Ω

=0V,I

=300mA,V

=25V,

=-100A/µS

GSO

=±1mA (Open Drain)

±21.5

±30

Notes :

*Pulse Test : Pulse Width

≤300µs,

Duty Cycle

≤2%.

**These parameters have no way to verify.

B,Apr,2014

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