Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> MOS(场效应管)> BSS139

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BSS139: 产品描述漏源电压（Vdss）：50V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：200mA 栅源极阈值电压：1.5V @ 1mA 漏源导通电阻：3.5Ω @ 200mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：225mW 类型：N沟道; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小1MB，共8页; 制造商蓝箭(BLUE ROCKET); 官网地址http://www.fsbrec.com/; 佛山市蓝箭电子股份有限公司是广东省高新技术企业，国内半导体器件专业研发制造商。公司前身是佛山市无线电四厂，创建于七十年代初。 1998年转制成有限责任公司，2012年股改为佛山市蓝箭电子股份有限公司。目前已形成年产100亿只的生产规模，是华南地区主要的半导体器件生产基地之一。公司厂区位于佛山市禅城区，厂房面积4.5万平方米。公司拥有大量先进的生产线，产品系列有各种封装的双极型晶体管、场效应晶体管(MOSFET)、各种开关、稳压、肖特基(SBD)、快恢复(FRD)等二极管、晶闸管(可控硅)、集成电路（IC)、LED及LED照明灯具等，产品广泛应用于家用电器、电源、IT数码、通信、新能源、汽车电子、仪器仪表、显示屏、灯饰照明、背光源等领域。公司从1997年开始通过ISO9001质量管理体系认证，2005年通过ISO14001环境管理体系认证，2013年通过了ISO/TS16949(IATF16949)汽车行业质量管理体系标准认证，2015年通过OHSAS18001认证。目前公司建立了广东省半导体器件工程技术研究开发中心和广东省企业技术中心，2008年，“蓝箭”牌晶体管被认定为广东省名牌产品。

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BSS139概述

漏源电压（Vdss）：50V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：200mA 栅源极阈值电压：1.5V @ 1mA 漏源导通电阻：3.5Ω @ 200mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：225mW 类型：N沟道

BSS139规格参数

参数名称	属性值
漏源电压（Vdss）	50V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	200mA
栅源极阈值电压	1.5V @ 1mA
漏源导通电阻	3.5Ω @ 200mA,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）	225mW
类型	N沟道

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BSS139

Rev.A Aug.-2017

描述

Descriptions

DATA SHEET

SOT-23

塑封封装

沟道

MOS

场效应管。N-CHANNEL

MOSFET in a SOT-23 Plastic Package.

特征

/ Features

输出电阻小、性½高；SOT-23 封装，利于设计安装。静电保护达 1500V

Low RDS(on),rugged and reliable, compact industry standard SOT-23 surface mount package.ESD

protected up to 1500V

用途

Applications

用于直流-直流½换器，电源管理便携式和电池供电的产品。

Typical applications are dc–dc converters, power management inportable and battery–powered

products.

内部等效电路

/ Equivalent Circuit

引脚排列

/ Pinning

PIN1：G

印章代码

Marking

PIN 2：S

/ Marking

PIN 3：D

HSTs

http://www.fsbrec.com

1/ 8

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