Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> MOS(场效应管)> AS3418

AS3418: 产品描述漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.8A 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 3.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道 N沟道,30V,3.8A,55mΩ@10V; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小2MB，共3页; 制造商台湾安邦(AnBon); 官网地址http://www.formosagr.com/; 安邦科技（AS）是全球领先的半导体行业SiC二极管、Si二极管、MOS芯片及封装制造商，其核心技术具有上下游一体化优势，专注于MOS、TVS、肖特基二极管等功率半导体器件的研发和生产，产品涵盖汽车、工业和商业领域。

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AS3418概述

漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.8A 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 3.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道 N沟道,30V,3.8A,55mΩ@10V

AS3418规格参数

参数名称	属性值
漏源电压（Vdss）	30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	3.8A
栅源极阈值电压	1.5V @ 250uA
漏源导通电阻	55mΩ @ 3.8A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）	1.25W
类型	N沟道

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AS341 8

N-Channel MOSFET

SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS

FEATURE

TrenchFET Power MOSFET

SOT-23

1. GATE

APPLICATIONS

Load Switch for Portable Devices

DC/DC Converter

2. SOURCE

3. DRAIN

MARKING: B 1 8

Maximum ratings (T

=25℃ unless otherwise noted)

Characteristic

特性參數

Drain-Source V oltage

漏極-源極電壓

Gate- Source V oltage

栅極-源極電壓

Drain Current (continuous)

漏極電流-連續

Drain Current (pulsed)

漏極電流-脉冲

Total Device Dissipation

½耗散功率

25℃環境溫度爲 25℃

Junction

結溫

Storage Temperature

儲存溫度

Symbol

符號

DSS

Max

最大值

+12

3.8

Unit

單½

1250

stg

150

-55to+150

℃

http://www.anbonsemi.com

TEL:886-755-23776891

FAX:886-755-81482182

Document ID

Issued Date

2003/03/08

Revised Date

2012/05/16

Revision

Page.

Page 1

AS-3150018

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