Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> MOS(场效应管)> AD2N60S

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AD2N60S: 产品描述漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.4Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：34W(Tc) 类型：N沟道; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小2MB，共8页; 制造商台湾安邦(AnBon); 官网地址http://www.formosagr.com/; 安邦科技（AS）是全球领先的半导体行业SiC二极管、Si二极管、MOS芯片及封装制造商，其核心技术具有上下游一体化优势，专注于MOS、TVS、肖特基二极管等功率半导体器件的研发和生产，产品涵盖汽车、工业和商业领域。

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AD2N60S概述

漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.4Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：34W(Tc) 类型：N沟道

AD2N60S规格参数

参数名称	属性值
漏源电压（Vdss）	600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	2A(Tc)
栅源极阈值电压	4V @ 250uA
漏源导通电阻	4.4Ω @ 1A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）	34W(Tc)
类型	N沟道

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