Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> MOS(场效应管)> AS4435S

AS4435S: 产品描述漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 9.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：P沟道 P沟道 -30V -11A; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小813KB，共6页; 制造商台湾安邦(AnBon); 官网地址http://www.formosagr.com/; 安邦科技（AS）是全球领先的半导体行业SiC二极管、Si二极管、MOS芯片及封装制造商，其核心技术具有上下游一体化优势，专注于MOS、TVS、肖特基二极管等功率半导体器件的研发和生产，产品涵盖汽车、工业和商业领域。

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AS4435S概述

漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 9.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：P沟道 P沟道 -30V -11A

AS4435S规格参数

参数名称	属性值
漏源电压（Vdss）	30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	11A
栅源极阈值电压	3V @ 250uA
漏源导通电阻	20mΩ @ 9.1A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）	3.1W
类型	P沟道

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AS4435S

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Product Summary

(BR)DSS

-30V

35mΩ@-4.5V

DS(on)MAX

20mΩ@-10V

-11A

Feature

Advanced trench process technology

High Density Cell Design For Ultra Low

On-Resistance

Application

Load Switch

Battery Switch

Power management

Package

Circuit diagram

SOP-8

Marking

4435

XXXXX

Page 1

Document ID

AS-3150059

Issued Date

2013/03/08

Revised Date

2015/05/16

Revision

Page.

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