Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> MOS(场效应管)> BSS138

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BSS138: 产品描述漏源电压（Vdss）：50V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：220mA 栅源极阈值电压：1.6V @ 1mA 漏源导通电阻：3.5Ω @ 220mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：225mW 类型：N沟道 N沟道,50V，0.22A; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小2MB，共3页; 制造商台湾安邦(AnBon); 官网地址http://www.formosagr.com/; 安邦科技（AS）是全球领先的半导体行业SiC二极管、Si二极管、MOS芯片及封装制造商，其核心技术具有上下游一体化优势，专注于MOS、TVS、肖特基二极管等功率半导体器件的研发和生产，产品涵盖汽车、工业和商业领域。

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BSS138概述

漏源电压（Vdss）：50V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：220mA 栅源极阈值电压：1.6V @ 1mA 漏源导通电阻：3.5Ω @ 220mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：225mW 类型：N沟道 N沟道,50V，0.22A

BSS138规格参数

参数名称	属性值
漏源电压（Vdss）	50V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	220mA
栅源极阈值电压	1.6V @ 1mA
漏源导通电阻	3.5Ω @ 220mA,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）	225mW
类型	N沟道

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BSS138

N-Channel 50V(D-S) MOSFET

SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS

FEATURE

TrenchFET Power MOSFET

SOT-23

1. GATE

APPLICATIONS

Load Switch for Portable Devices

DC/DC Converter

2. SOURCE

3. DRAIN

MARKING: SS

■

MAXIMUM RATINGS

RATINGS最大額定值

Characteristic

特性參數

Drain-Source V oltage

漏極-源極電壓

Gate- Source V oltage

栅極-源極電壓

Drain Current (continuous)

漏極電流-連續

Drain Current (pulsed)

漏極電流-脉冲

Symbol

符號

DSS

DRM

Max

最大值

+20

220

880

Unit

單½

■

THERMAL CHARACTERISTICS

熱特性

Characteristic

特性

Total Device Dissipation

½耗散功率

25℃環境溫度爲 25℃

Derate above25℃

超過

25℃遞減

Thermal Resistance Junction to Ambient

熱阻

Junction and Storage Temperature

結溫和儲存溫度

Symbol

符號

Max

最大值

225

1.8

Unit

單½

mW/℃

℃/W

stg

350

150℃,-55to+150℃

http://www.anbonsemi.com

TEL:886-755-23776891

FAX:886-755-81482182

Document ID

Issued Date

2003/03/08

Revised Date

2012/05/16

Revision

Page.

Page 1

AS-3150008

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