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MBR30100CE

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 30A, 100V V(RRM), Silicon, TO-262AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, I2PAK-3
产品类别二极管    整流二极管   
文件大小116KB,共3页
制造商台湾光宝(LITEON)
官网地址http://optoelectronics.liteon.com/en-global/Home/index
标准  
Lite-On 从 1975 年开始生产 LED 灯;公司向客户提供可见观光和红外产品解决方案,稳步成长为全球最大的光电子产品制造商之一。实践证明,商用产品和应用特定型产品的大批量生产,以及强大的研发和垂直整合能力是 Lite-On 成功的关键而与众不同的因素。
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MBR30100CE概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 30A, 100V V(RRM), Silicon, TO-262AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, I2PAK-3

MBR30100CE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称台湾光宝(LITEON)
零件包装代码TO-262AA
包装说明R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码TO-262AA
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e3/e4
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流160 A
元件数量1
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流30 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层MATTE TIN/SILVER
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
Base Number Matches1

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MBR30100CE
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
FEATURES
REVERSE VOLTAGE
FORWARD CURRENT
– 100 Volts
– 30 Amperes
Metal of silicon rectifier, majority carrier conduction
Guard ring for transient protection
Low power loss, high efficiency
High surge&current capability, low VF
For use in low voltage, high frequency inverters, free
wheeling, and polarity protection applications
MECHANICAL DATA
I
2
PAK
I
2
PAK
DIM.
A
B
C
D
F
G
H
I
J
K
N
O
MIN.
9.65
1.14
8.25
-
-
12.70
2.29
0.51
0.3
3.56
2.03
1.14
MAX.
10.69
1.40
9.25
1.40
4.20
14.73
2.79
1.14
0.64
4.83
2.92
1.70
Case: TO-262AA molded plastic
Plastic package has UL flammability classification
94V-0
Terminals: Solderable per MIL-STD-202 Method 208
Moisture sensitivity: level 1 per J-STD-020D
Lead Free Finish, RoHS Compliant
Polarity: As marked on the body
Weight: 0.0571 ounces, 1.62 grams
Mounting position: Any
All Dimensions in millimeter
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
°C
ambient temperature unless otherwise specified.
PARAMETER
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Average Rectified Output Current
@Tc=125°C
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
MBR30100CE
100
70
100
30
160
0.8
0.67
0.93
0.80
500
10
1
-55 to +150
-55 to +150
UNIT
V
V
V
A
A
Peak Forward Surge Current 8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load
IF=15A@
IF=15A@
IF=30A@
IF=30A@
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Maximum Forward Voltage
Note(1)
V
F
V
Maximum DC Reverse Current at Rated DC Tj=25°C
Blocking Voltage
Tj=125°C
Typical thermal resistance Junction to Case
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note :
(1)
(2)
(3)
IR
R
Θ
JC
T
J
T
STG
uA
mA
°C/W
°C
°C
REV. 3, Sep-2012, KTHA22
300us Pulse Width, 2% Duty Cycle.
Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0 V
DC
.
Thermal Resistance test performed in accordance with JESD-51. Unit mounted on 0.75t glass-epoxy substrate with 150 x 150 x 2 copper plate
heatsink, pad.
怎么样设置部分类容回复后才可见
怎么样设置部分类容回复后才可见...
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