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IDT709289L9PFG8

产品描述Dual-Port SRAM, 64KX16, 20ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-100
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文件大小177KB,共15页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT709289L9PFG8概述

Dual-Port SRAM, 64KX16, 20ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-100

IDT709289L9PFG8规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFP
包装说明LFQFP,
针数100
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.B
Is SamacsysN
最长访问时间20 ns
其他特性FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码S-PQFP-G100
JESD-609代码e3
长度14 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度16
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量100
字数65536 words
字数代码64000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64KX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFQFP
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度14 mm
Base Number Matches1

IDT709289L9PFG8相似产品对比

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描述 Dual-Port SRAM, 64KX16, 20ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-100 Dual-Port SRAM, 64KX16, 25ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-100 Dual-Port SRAM, 64KX16, 18ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-100 Dual-Port SRAM, 64KX16, 20ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-100 Dual-Port SRAM, 64KX16, 20ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-100
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 QFP QFP QFP QFP QFP
包装说明 LFQFP, LFQFP, QFP100,.63SQ,20 LFQFP, QFP100,.63SQ,20 LFQFP, QFP100,.63SQ,20 LFQFP, QFP100,.63SQ,20
针数 100 100 100 100 100
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.B EAR99 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B
Base Number Matches 1 1 1 1 1
Is Samacsys N - - N N
最长访问时间 20 ns - 18 ns 20 ns 20 ns
其他特性 FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE - FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码 S-PQFP-G100 - S-PQFP-G100 S-PQFP-G100 S-PQFP-G100
JESD-609代码 e3 - e3 e3 e3
长度 14 mm - 14 mm 14 mm 14 mm
内存密度 1048576 bit - 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 DUAL-PORT SRAM - DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM
内存宽度 16 - 16 16 16
湿度敏感等级 3 - 3 3 3
功能数量 1 - 1 1 1
端子数量 100 - 100 100 100
字数 65536 words - 65536 words 65536 words 65536 words
字数代码 64000 - 64000 64000 64000
工作模式 SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C - 70 °C 70 °C 85 °C
组织 64KX16 - 64KX16 64KX16 64KX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LFQFP - LFQFP LFQFP LFQFP
封装形状 SQUARE - SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH - FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL - PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 - 260 260 260
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.6 mm - 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V - 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V - 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V - 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES - YES YES YES
技术 CMOS - CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL - COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子面层 Matte Tin (Sn) - Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 GULL WING - GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.5 mm - 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 QUAD - QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 30 - 30 30 30
宽度 14 mm - 14 mm 14 mm 14 mm
最大时钟频率 (fCLK) - - 83 MHz 66 MHz 66 MHz
I/O 类型 - - COMMON COMMON COMMON
端口数量 - - 2 2 2
输出特性 - - 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装等效代码 - - QFP100,.63SQ,20 QFP100,.63SQ,20 QFP100,.63SQ,20
电源 - - 5 V 5 V 5 V
最大待机电流 - - 0.003 A 0.003 A 0.006 A
最小待机电流 - - 4.5 V 4.5 V 4.5 V
最大压摆率 - - 0.465 mA 0.4 mA 0.43 mA
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