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ICS501DLF

产品描述Clock Generator, 160MHz, CMOS, DIE
产品类别微控制器和处理器    时钟发生器   
文件大小68KB,共4页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准  
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ICS501DLF概述

Clock Generator, 160MHz, CMOS, DIE

ICS501DLF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码DIE
包装说明DIE
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
JESD-30 代码X-XUUC-N
JESD-609代码e3
最高工作温度70 °C
最低工作温度
最大输出时钟频率160 MHz
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIE
封装形状UNSPECIFIED
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)260
主时钟/晶体标称频率50 MHz
认证状态Not Qualified
最大供电电压5.5 V
最小供电电压3 V
标称供电电压5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层MATTE TIN
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间30
uPs/uCs/外围集成电路类型CLOCK GENERATOR, OTHER
Base Number Matches1

ICS501DLF相似产品对比

ICS501DLF ICS501DWLF
描述 Clock Generator, 160MHz, CMOS, DIE Clock Generator, 160MHz, CMOS, DIE
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 DIE DIE
包装说明 DIE DIE
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
JESD-30 代码 X-XUUC-N X-XUUC-N
JESD-609代码 e3 e3
最高工作温度 70 °C 70 °C
最大输出时钟频率 160 MHz 160 MHz
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIE DIE
封装形状 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形式 UNCASED CHIP UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度) 260 NOT SPECIFIED
主时钟/晶体标称频率 50 MHz 50 MHz
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 3 V 3 V
标称供电电压 5 V 5 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 30 NOT SPECIFIED
uPs/uCs/外围集成电路类型 CLOCK GENERATOR, OTHER CLOCK GENERATOR, OTHER

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