Datasheet> 器件分类 > 晶体管> BC846AW-AU_R1_000A1

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BC846AW-AU_R1_000A1: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor,; 产品类别晶体管; 文件大小736KB，共8页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BC846AW-AU_R1_000A1概述

Small Signal Bipolar Transistor,

BC846AW-AU_R1_000A1规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	compliant
Is Samacsys	N
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
集电极-发射极最大电压	65 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	110
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN
参考标准	AEC-Q101
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz
Base Number Matches	1

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BC846AW-AU ~ BC850CW-AU

NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS

VOLTAGE

FEATURES

• General purpose amplifier applications

• NPN epitaxial silicon, planar design

•

Collector current IC = 100mA

Acqire quality system certificate : TS16949

AEC-Q101 qualified

Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives

Green molding compound as per IEC61249 Std. .

(Halogen Free)

30/45/65 Volts

POWER

250 mWatts

MECHANICAL DATA

• Case: SOT-323, Plastic

• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Approx. Weight: 0.0001 ounce, 0.005 gram

Device Marking:

BC846AW-AU=46A BC847AW-AU=47A BC848AW-AU=48A

BC846BW-AU=46B BC847BW-AU=47B BC848BW-AU=48B BC849BW-AU=49B BC850BW-AU=50B

BC847CW-AU=47C BC848CW-AU=48C BC849CW-AU=49C BC850CW-AU=50C

ABSOLUTE RATINGS

Parameter

Collector - E mitter Voltage

BC846W-AU

BC847W-AU, BC850W-AU

BC848W-AU, BC849W-AU

BC846W-AU

BC847W-AU, BC850W-AU

BC848W-AU, BC849W-AU

BC846W-AU

BC847W-AU, BC850W-AU

BC848W-AU, BC849W-AU

Symbol

CEO

Value

100

Units

Collector - B ase Voltage

CBO

Emitter - Base Voltage

Collector Current - Continuous

EBO

THERMAL CHARACTERISTICS

Parameter

Max Power Dissipation (Note 1)

Thermal Resistance

Junction Temperature

Storage Temperature

Symbol

TOT

JA

JC

STG

Value

250

500

100

-55 to 150

Units

C/W

Note 1: Transistor mounted on FR-5 board 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

April 23,2013-REV.02

PAGE . 1

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