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TK3R1A04PL,S4X

产品描述MOSFET N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 82A 36W
产品类别半导体    分立半导体    晶体管    MOSFET   
文件大小434KB,共10页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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TK3R1A04PL,S4X概述

MOSFET N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 82A 36W

TK3R1A04PL,S4X规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
产品种类MOSFET
技术Si
安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-220FP-3
通道数量1 Channel
晶体管极性N-Channel
Vds-漏源极击穿电压40 V
Id-连续漏极电流82 A
Rds On-漏源导通电阻2.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压20 V
Qg-栅极电荷63.4 nC
最大工作温度+ 175 C
Pd-功率耗散36 W
配置Single
通道模式Enhancement
高度15 mm
长度10 mm
晶体管类型1 N-Channel
宽度4.5 mm
下降时间27 ns
上升时间12 ns
工厂包装数量50
典型关闭延迟时间83 ns
典型接通延迟时间28 ns
单位重量2 g

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