MOSFET N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 82A 36W
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Toshiba(东芝) |
产品种类 | MOSFET |
技术 | Si |
安装风格 | Through Hole |
封装 / 箱体 | TO-220FP-3 |
通道数量 | 1 Channel |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
Id-连续漏极电流 | 82 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 2.5 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.4 V |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
Qg-栅极电荷 | 63.4 nC |
最大工作温度 | + 175 C |
Pd-功率耗散 | 36 W |
配置 | Single |
通道模式 | Enhancement |
高度 | 15 mm |
长度 | 10 mm |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
宽度 | 4.5 mm |
下降时间 | 27 ns |
上升时间 | 12 ns |
工厂包装数量 | 50 |
典型关闭延迟时间 | 83 ns |
典型接通延迟时间 | 28 ns |
单位重量 | 2 g |
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