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1N5386: 产品描述180 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小297KB，共4页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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1N5386概述

180 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE

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Part Number: 1N5348B~1N5388B

DATA SHEET

1N5348B~1N5388B

GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON ZENER DIODE

VOLTAGE- 11 to 200 Volts Power - 5.0 Watts

FEATURES

• Built-in strain relief

• Glass passivated junction

• Low inductance

• Typical I

less than 5.0µA above 11V

• Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability

Classification 94V-O

• High temperature soldering : 260°C /10 seconds at terminals

.375(9.5)

.285(7.2)

1.0(25.4) MIN.

DO-201AE

Unit: inch ( mm )

• Low profile package

.042(1.07)

.037(.94)

MECHANICAL DATA

Case: JEDEC DO-201AE, Molded plastic over passivated junction

Terminals: solder platble,solderable per MIL-STD-750,Method 2026

Weight: 0.04 ounce, 1.1 gram

1.0(25.4) MIN.

.210(5.3)

.188(4.8)

Standard Packing: 52mm tape

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

SYMBOLS

DC Power Dissipation on T

=75°C ,Measure at Zero Lead Length

Derate above 75°C ( NOTE 1)

Peak Forward Surge Current 8.3ms single half sine-wave

superimposed on rated load (JEDEC method)

Operating and Storage Temperature Range

VALUE

5.0

UNITS

Watts

mW / °C

Amps

°C

FSM

STG

40.0

See Fig. 5

-55 to +150

NOTES:

1.Mounted on 8.0mm

copper pads to each terminal.

2.8.3ms single half sine-wave ,or equivalent square wave ,duty cycle=4 pulses per minute maximum.

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